[发明专利]基于蓝宝石衬底的AlN薄膜及制备方法在审
| 申请号： | 201811625620.9 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109727847A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 谭波;张骏;张毅;胡加辉;陈长清;戴江南 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/0304;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蓝宝石 衬底 制备 金属有机化学气相沉积法 表面沉积 外延层 物理气相沉积法 表面裂纹 衬底表面 位错缺陷 有效减少 平整度 沉积 | ||
1.一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法，其特征在于，具体为：采用物理气相沉积法于蓝宝石衬底表面沉积30nm厚的AlN缓冲层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层；采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层。
2.根据权利要求1所述的基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积法为磁控溅射。
3.根据权利要求1所述的基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法，其特征在于，所述采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层表面沉积50nm厚的AlN插入层的步骤为：在所述AlN缓冲层沉积完成后，采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN缓冲层上沉积50nm的所述AlN插入层，且生长压力为50Torr，控制生长温度由825℃线性渐变到875℃，并同时保持三甲基铝的源流量不变，线性减小NH3的气流量，使反应源V/III气氛比由4000线性渐变到2000。
4.根据权利要求1所述的基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法，其特征在于，所述采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层表面沉积1.5μm厚的AlN外延层的步骤为：在所述AlN插入层沉积完成后，采用金属有机化学气相沉积法于所述AlN插入层上沉积1.5μm的所述AlN外延层，且生长压力为40Torr，温度为1080℃，反应源V/III气氛比为180。
5.一种基于蓝宝石衬底的AlN薄膜，其特征在于，所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜是由权利要求1～4中所述基于蓝宝石衬底的AlN薄膜制备方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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