[发明专利]一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件

权利要求书

1.一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，包括若干MRAM存储单元，其特征在于：还包括写状态检测单元；

所述MRAM存储单元至少包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相对于读取和写入的电流路径的参考和记忆层的正常顺序，另一个磁性隧道结具有相对于用于读取和写入的电流路径的参考层和记忆层的相反顺序；所述第一和第二磁性隧道结一端分别与第一位线和第二位线相连，另一端连接MOS管；其中MOS管另外两端分别连接字线及源极线；

所述写状态检测单元适用于检测所述MRAM存储单元的状态转换。

2.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，写入状态时，所述MRAM存储单元中第一和第二隧道结连接的两根位线和MOS管连接的源极线同向通电。

3.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，所述MRAM存储单元中MOS管为两个。

4.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，所述MRAM存储单元中MOS管为一个。

5.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，所述两个磁性隧道结中的一个通过增加一个过孔，将其走线通过过孔穿到上层再走下来。

6.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，所述写状态检测单元包括检测点、比较器。

7.如权利要求6所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，检测点设置在MRAM存储单元对应的周边区域的两根位线的相同位置上。

8.如权利要求6所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，检测点设置在MRAM存储单元对应的周边区域的两根源极线的相同位置上。

9.如权利要求6所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，比较器设定阈值，用于写入操作时比较检测点电位差与阈值差异。