[发明专利]一种背电极结构、太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 201811624603.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN111403494A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
| 发明(设计)人: | 李新连;赵树利;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人: | 陈超 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电极 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于太阳能电池的背电极结构,其特征在于,包括:层叠设置的背电极膜层(21)和钝化层(23);
所述钝化层(23)上形成有多个第一贯穿孔(231),所述第一贯穿孔(231)贯穿所述钝化层(23)。
2.根据权利要求1所述的背电极结构,其特征在于,
所述背电极膜层(21)在与所述第一贯穿孔(231)的对应位置,形成有接触坑(211)或贯穿所述背电极膜层(21)的接触孔(212)。
3.根据权利要求1或2所述的背电极结构,其特征在于,还包括:
反射层(22),其设置在所述背电极膜层(21)和所述钝化层(23)之间;
所述反射层(22)在与所述第一贯穿孔(231)的对应位置形成第二贯穿孔(221)。
4.根据权利要求1所述的背电极结构,其特征在于,
所述第一贯穿孔(231)的横截面为圆形,所述第一贯穿孔(231)的直径范围为5-30μm;和/或
相邻两个所述第一贯穿孔(231)的边缘之间的距离范围为5-20μm。
5.根据权利要求1、2或4所述的背电极结构,其特征在于,
所述背电极膜层(21)的材料为钼,厚度为200-800nm;和/或
所述反射层(22)的材料为铝,所述钝化层(23)的材料为氧化铝,所述反射层(22)与所述钝化层(23)的厚度之和为20-50nm,其中,所述钝化层(23)的厚度为20-40nm。
6.一种太阳能电池,其特征在于,包括权利要求1-5中任意一项所述的背电极结构(2),还包括:
吸收层(3),其位于所述背电极结构(2)之上;
所述吸收层(3)通过多个第一贯穿孔(231)与背电极膜层(21)电接触。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,
所述吸收层(3)的一侧形成有多个与所述第一贯穿孔(231)形状相匹配的凸起部(31);
所述凸起部(31)穿过所述第一贯穿孔(231),所述凸起部(31)的顶部和/或侧壁与所述背电极膜层(21)电接触。
8.根据权利要求6或7所述的太阳能电池,其特征在于,
所述吸收层(3)为CIGS薄膜,厚度为300-800nm。
9.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底(1)上形成背电极膜层(21)和钝化层(23);
在所述钝化层(23)上形成多个第一贯穿孔(231)。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在形成背电极膜层(21)之后,在形成钝化层(23)之前,还包括:
在所述背电极膜层(21)上形成反射层(22);
在所述钝化层(23)上形成有多个第一贯穿孔(231)的同时,还在所述反射层(22)与所述第一贯穿孔(231)的对应位置形成第二贯穿孔(221)。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述钝化层(23)的表面形成吸收层(3);
在所述吸收层(3)的表面进行包括依次形成的缓冲层(4)、本征层(5)和电极层(6)的工序,得到所述太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





