[发明专利]相控阵天线

说明书

本发明提供了一种相控阵天线，包括芯板、分设于所述芯板两侧的天线模组和射频模组，所述射频模组包括贴设于其远离所述芯板的表面的器件以及与所述器件电连接的线路层，所述器件和所述线路层至少构成相位控制单元以控制天线模组中各天线单元的相位和波束合成单元以控制相控阵天线的波束形状。与相关技术相比，本发明提供的一种相控阵天线具有如下优点：采用AIP型垂直堆叠结构，整体厚度薄，天线单元反射系数小，天线单元间的隔离度大，可满足室内5G通信基站的要求。

【技术领域】

本发明涉及天线技术领域，尤其涉及一种相控阵天线。

【背景技术】

第五代通信技术(5G)致力于构建信息与通信技术的生态系统，是目前业界最热的课题之一。不同于以前的2G、3G和4G，5G不仅仅是移动通信技术的升级换代，更是未来数字世界的驱动平台和物联网发展的基础设施，将真正创建一个全联接的新时代。

但是随着5G技术的发展，现有的毫米波天线已经难以满足室内基站的要求。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种低反射系数、高隔离度的相控阵天线。

本发明的技术方案如下：一种相控阵天线，包括芯板、分设于所述芯板两侧的天线模组和射频模组，所述射频模组包括贴设于其远离所述芯板的表面的器件以及与所述器件电连接的线路层，所述器件和所述线路层至少构成相位控制单元以控制天线模组中各天线单元的相位和波束合成单元以控制相控阵天线的波束形状。

优选的，所述线路层包括从上之下依次间隔设置的控制线层、电源层、第一合路网络地层、合路网络层、第二合路网络地层、表贴器件地层以及表贴器件层，所述器件至少包括设置于所述表贴器件层的存储单元、RFIC芯片和插头。

优选的，所述存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储单元、所述RFIC芯片以及所述第二存储单元均与所述表贴器件层电连接，所述控制线层和所述表贴器件地层均通过所述表贴器件层与所述第一存储单元电连接，所述天线模组、所述控制线层以及所述合路网络层分别与所述RFIC芯片电连接，所述合路网络层与所述插头电连接，所述电源层和所述表贴器件地层分别通过所述表贴器件层与所述第二存储单元电连接。

优选的，所述射频模组还包括夹设于所述控制线层与所述电源层之间的第一半固化片、夹设于所述电源层与所述第一合路网络地层之间的第一介质层、夹设于所述第一合路网络地层与所述合路网络层之间的第二半固化片和第二介质层、夹设于所述合路网络层与所述第二合路网络地层的第三半固化片和第三介质层、夹设于所述第二合路网络地层与所述表贴器件地层之间的第四半固化片以及夹设于所述表贴器件地层与所述表贴器件层之间的第四介质层。

优选的，所述第一半固化片、第一介质层、第二半固化片、第三半固化片、第四半固化片以及第四介质层的厚度均为0.1016mm，所述第二介质层和所述第三介质的厚度均为0.254mm。

优选的，所述芯板的厚度为0.3mm。

优选的，所述控制线层、所述电源层、所述第一合路网络地层、所述合路网络层、所述第二合路网络地层、所述表贴器件地层以及所述表贴器件层均为铜层。

优选的，所述第一存储单元和所述第二存储单元均为MLC。

优选的，所述相控阵天线采用2×2阵列、4×4阵列或者8×8阵列中的任意一种。

与相关技术相比，本发明提供的一种相控阵天线具有如下优点：采用AIP型垂直堆叠结构，整体厚度薄，天线单元反射系数小，天线单元间的隔离度大，可满足室内5G通信基站的要求。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：