[发明专利]太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811624233.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111403495A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 方亮;曾燕;彭敏;张皓 | 申请（专利权）人： | 成都珠峰永明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/07;H01L31/0747;H01L31/078;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;杜丹丹 |
| 地址： | 610200 四川省中国（四川）自由贸易试*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；
形成在所述第一本征层上的掺杂层；
形成在所述掺杂层上的前电极；
形成在所述半导体衬底的第二侧的第二本征层；
形成在所述第二本征层上的缓冲层；以及
形成在所述缓冲层上的金属背电极。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层采用功函数低于4.0eV的材质。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层采用禁带宽度大于3.0eV的材质。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材质为LiF、Ce2(CO3)3或NaF。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度满足隧穿效应的实现。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为1nm～10nm。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底采用N型单晶硅片；所述掺杂层为P型掺杂层。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一本征层与所述第二本征层均为本征型氢化非晶硅层；所述掺杂层为掺硼的氢化非晶硅层或氢化微晶硅层；所述前电极的材质为透明导电氧化物；所述金属背电极采用单一金属材料或至少两种金属的复合材料。
9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
制备半导体衬底；
在所述半导体衬底的第一侧制备第一本征层；
在所述第一本征层上制备掺杂层；
在所述半导体衬底的第二侧制备第二本征层；
在所述第二本征层上制备缓冲层；
在所述掺杂层上制备前电极，在所述缓冲层上制备金属背电极。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述第二本征层上制备缓冲层的步骤具体为：采用蒸发法将缓冲层沉积在所述第二本征层上。
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H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
