[发明专利]太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底的第一侧的第一本征层；

形成在所述第一本征层上的金属氧化物层，所述金属氧化物层的功函数大于所述半导体衬底的功函数；以及

形成在所述金属氧化物层上的前电极。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层与所述半导体衬底的功函数之差大于1.0eV。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层的功函数不低于5.0eV。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层的禁带宽度范围为3.0eV～4.0eV。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层的电导率为1～10^-6s/cm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度范围为4nm～20nm。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属氧化物层的材质为钼氧化物、钨氧化物或钒氧化物。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：

形成在所述半导体衬底的第二侧的第二本征层；

形成在所述第二本征层上的缓冲层；以及

形成在所述缓冲层上的金属背电极。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层采用功函数低于4.0eV、禁带宽度大于3.0eV的材质。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的材质为LiF、Ce₂(CO₃)₃或NaF。

11.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度满足隧穿效应的实现。

12.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述半导体衬底采用N型单晶硅片；所述第一本征层与所述第二本征层均为本征型氢化非晶硅层；所述前电极的材质为透明导电氧化物；所述金属背电极采用单一金属材料或至少两种金属的复合材料。

13.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

制备半导体衬底；

在所述半导体衬底的第一侧制备第一本征层；

在所述第一本征层上制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的功函数大于所述半导体衬底的功函数；

在所述金属氧化物层上制备前电极。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，在所述第一本征层上制备金属氧化物层的步骤具体为：采用溅射法或蒸发法将金属氧化物层沉积在所述第一本征层上。

15.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括如下步骤：

在所述半导体衬底的第二侧制备第二本征层；

在所述第二本征层上制备缓冲层；

在所述缓冲层上制备金属背电极。