[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，在所述阳极和所述阴极之间设置的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴功能叠层，所述空穴功能叠层包括空穴注入层、在所述空穴注入层上设置的空穴传输层以及设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间的界面层，其中，所述空穴注入层邻近所述阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近所述量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；

所述界面层的材料为石墨烯量子点，所述界面层的厚度为2nm~15nm；或

所述界面层的材料为未改性石墨烯，所述界面层的厚度小于等于10nm。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层中的至少一层。

3.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在空穴传输层和空穴注入层之间制备界面层，其中，所述空穴注入层邻近阳极设置，且所述空穴注入层的材料含有过渡金属氧化物；所述空穴传输层邻近量子点发光层设置，且所述空穴传输层的材料含有有机空穴传输材料；

所述界面层的材料为石墨烯量子点时，所述界面层的厚度为2nm~15nm；或

所述界面层的材料为未改性石墨烯时，所述界面层的厚度小于等于10nm。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述空穴传输层和所述空穴注入层之间制备界面层的方法为：在表层为空穴传输层或空穴注入层的基底上，通过溶液法沉积石墨烯量子点或未改性石墨烯，制备界面层。