[发明专利]一种发光二极管外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的AlN缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述三维成核层为GaN层，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为8～20nm，

所述发光二极管外延片还包括设置在所述AlN缓冲层和三维成核层之间的BGaN缓冲层，所述BGaN缓冲层中的B组分沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少；

所述BGaN缓冲层包括多个B_xGa_1-xN子层，0＜x＜1，每个子层中的B组分相同，多个子层中的B组分逐层递减，所述BGaN缓冲层的厚度为12～18nm，多个B_xGa_1-xN子层的厚度相同；

所述BGaN缓冲层包括第一B_x1Ga_1-x1N子层、第二B_x2Ga_1-x2N子层、第三B_x3Ga_1-x3N子层、第四B_x4Ga_1-x4N子层和第五B_x5Ga_1-x5N子层，五个子层中的B组分逐层递减，其中，x1＝0.9，x2＝0.7，x3＝0.5，x4＝0.3，x5＝0.1。

2.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的厚度为8～20nm；

在所述AlN缓冲层上生长BGaN缓冲层，所述BGaN缓冲层中的B组分沿所述发光二极管外延片的层叠方向逐渐减少，所述BGaN缓冲层包括多个B_xGa_1-xN子层，0＜x＜1，每个子层中的B组分相同，多个子层中的B组分逐层递减，多个B_xGa_1-xN子层的厚度相同，所述BGaN缓冲层包括第一B_x1Ga_1-x1N子层、第二B_x2Ga_1-x2N子层、第三B_x3Ga_1-x3N子层、第四B_x4Ga_1-x4N子层和第五B_x5Ga_1-x5N子层，五个子层中的B组分逐层递减，其中，x1＝0.9，x2＝0.7，x3＝0.5，x4＝0.3，x5＝0.1；

在所述BGaN缓冲层上依次生长三维成核层、二维缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层和P型层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长AlN缓冲层，包括：

采用物理气相沉积法在所述衬底上生长厚度为8～20nm的AlN缓冲层。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在所述AlN缓冲层上生长BGaN缓冲层，包括：

采用有机金属化学气相沉积法在所述AlN缓冲层上生长厚度为12～18nm的BGaN缓冲层。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述BGaN缓冲层的生长温度为470～670℃。

6.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述BGaN缓冲层的生长压力为20～100torr。