[发明专利]用于无线能量传输的肖特基二极管及其制备工艺

权利要求书

1.一种用于无线能量传输的肖特基二极管的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

选取衬底；

在所述衬底的第一表面上制备N型Ge层；

在所述N型Ge层上形成氮化硅层；

刻蚀所述氮化硅层形成第一矩形槽；

在所述N型Ge层和所述氮化硅层上形成第一金属层；

刻蚀所述第一金属层仅保留所述第一矩形槽内的所述第一金属层形成第一金属电极；

在所述衬底的第二表面形成第二金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述衬底为N型单晶Ge。

3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述衬底第一表面上制备N型Ge层包括：

利用化学气相沉积工艺，在所述衬底上形成700～800nm厚，掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-3的N型Ge外延层。

4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述N型Ge层上形成氮化硅层包括：

采用等离子化学气象沉积工艺，在第一温度、第一压强、第一功率下，淀积所述氮化硅层。

5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第一温度为340℃～360℃，所述第一压强为500mTorr，所述第一功率为150W的低频功率。

6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述衬底第一表面上制备N型Ge层之后还包括：

使用稀氢氟酸和去离子水循环清洗所述N型Ge层。

7.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，在所述N型Ge层和所述氮化硅层上形成第一金属层包括：

在所述N型Ge层和所述氮化硅层表面利用电子束蒸发淀积10～20nm厚的钨层作为所述第一金属层，所述第一金属层与所述N型Ge层形成肖特基接触。

8.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，刻蚀所述第一金属层形成第一金属电极包括：

刻蚀所述氮化硅层表面的所述第一金属层，仅保留所述第一矩形槽中部的所述第一金属层形成所述第一金属电极。

9.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于，所述第二金属电极为铝电极。

10.一种用于无线能量传输的肖特基二极管，其特征在于，所述用于无线能量传输的肖特基二极管由权利要求1～9任一项所述的制备工艺制备形成。