[发明专利]一种用于无线能量传输的肖特基二极管及整流电路在审
| 申请号： | 201811621007.X | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109698233A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 薛磊;李雯 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/165 | 分类号： | H01L29/165;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 张应变 无线能量传输 肖特基二极管 肖特基二级管 整流电路 金属层 衬底 无线能量传输系统 最大转换效率 电子迁移率 肖特基接触 内嵌 预设 微波 应用 | ||
1.一种用于无线能量传输的肖特基二极管，其特征在于，包括：Si衬底(001)、第一Ge层(002)、张应变Ge层(003)、第二N型Ge1-xSnx层(004)、第三N型Ge1-xSnx层(006)、Al金属层(007)和W金属层(009)，其中，
所述第一Ge层(002)设置在所述Si衬底(001)的表面；
所述张应变Ge层(003)设置在所述第一Ge层(002)的表面；
所述第二N型Ge1-xSnx层(004)设置在所述张应变Ge层(003)的表面；
所述第三N型Ge1-xSnx层(006)内嵌在所述第二N型Ge1-xSnx层(004)中；
所述Al金属层(007)设置在所述第三N型Ge1-xSnx层(006)的表面上；
所述W金属层(009)设置在所述第二N型Ge1-xSnx层(004)的预设肖特基接触区域内。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述张应变Ge层(003)是对所述第一Ge层(002)表面上的第二Ge层进行热退火后形成的；其中，所述第一Ge层(002)的厚度为50nm；所述第二Ge层的厚度为900～950nm。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第二N型Ge1-xSnx层(004)是对所述张应变Ge层(003)上的第一N型Ge1-xSnx层注入P离子后形成的。
4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第一N型Ge1-xSnx层的厚度为1000～1100nm，0.08<x<0.1。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
第二N型Ge1-xSnx层(004)的掺杂浓度为1.8×1016～2×1016cm-3。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第三N型Ge1-xSnx层(006)是对所述第二N型Ge1-xSnx层(004)局部进行P离子注入后形成的。
7.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述第三N型Ge1-xSnx层(006)的掺杂浓度为1020cm-3。
8.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述Si衬底(001)为厚度为300～400μm的单晶Si衬底。
9.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，
所述Al金属层(010)和所述W金属层(012)的厚度均为10～20nm。
10.一种用于无线能量传输的整流电路，其特征在于，所述整流电路包括权利要求1-9任一项所述的肖特基二极管。
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