[发明专利]一种肖特基二极管及整流电路

说明书

本发明涉及一种肖特基二级管及整流电路，肖特基二级管包括：Si衬底(001)、N型Si_1‑xGe_x层(004)、第一N型压应变Ge层(011)、第二N型压应变Ge层(007)、铝Al金属层(008)和钨W金属层(010)，其中，所述N型Si_1‑xGe_x层(004)设置在所述Si衬底(001)的表面；所述第一N型压应变Ge层(011)设置在所述N型Si_1‑xGe_x层(004)的表面；所述第二N型压应变Ge层(007)内嵌在所述第一N型压应变Ge层(011)中；所述铝Al金属层(008)设置在所述第二N型压应变Ge层(007)的表面上；所述钨W金属层(010)设置在所述第一N型压应变Ge层(011)的表面的预设的肖特基接触指定区域内。应用本发明实施例可以提高肖特基二极管的电子迁移率。

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种肖特基二级管及整流电路。

背景技术

无线能量传输系统(Wireless Power Transfer，WPT)可以突破传统传输线的限制，使得输送电能无需依靠输电线，尤其适用特殊场景，比如，对危险场景下的机器人充电，或者对人体内的人造器官充电等。具体的，以电磁波作为输入能量的WPT称为微波无线能量传输系统(Microwave Power Transfer，MPT)。WPT发射端可以将直流电转化为电磁波发射出去，再由WPT接收端将接收到的电磁波转化为直流电，从而实现电能的输送。其中，转换效率是指WPT将电磁波转化为直流电的效率，是评价WPT性能优劣的关键指标。整流天线是WPT接收端的关键部件，而整流二极管是整流电路的核心器件，因此，整流二极管的性能可以决定WPT的最大转换效率。

目前，可以使用Ge材料制备的肖特基二极管作为整流二极管。但是，肖特基二极管的电子迁移率还有待提高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种肖特基二级管及整流电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种肖特基二级管，包括：

包括：Si衬底001、N型Si_1-xGe_x层004、第一N型压应变Ge层011、第二N型压应变Ge层007、铝Al金属层008和钨W金属层010；

所述N型Si_1-xGe_x层004设置在所述Si衬底001的表面；

所述第一N型压应变Ge层011设置在所述N型Si_1-xGe_x层004的表面；

所述第二N型压应变Ge层007内嵌在所述第一N型压应变Ge层011中；

所述铝Al金属层008设置在所述第二N型压应变Ge层007的表面上；

所述钨W金属层010设置在所述第一N型压应变Ge层011的表面的预设的肖特基接触指定区域内。

在本发明的一个实施例中，所述Si衬底001为厚度为300～400μm的N型单晶Si衬底。

在本发明的一个实施例中，所述N型Si_1-xGe_x层004的厚度为300～400nm，掺杂浓度为1.8～2×10¹⁶cm^-2，其中，x>0.8。

在本发明的一个实施例中，所述第一N型压应变Ge层011的厚度为900～1000nm，掺杂浓度为1.8×10¹⁴～2×10¹⁴cm^-2。