[发明专利]衬底处理装置

权利要求书

1.衬底处理装置，其具有：

处理室，其对衬底进行处理；

衬底支承部，其支承所述衬底；

升降部，其使所述衬底支承部升降；

气体供给口，其向所述衬底供给气体；和

控制部，其以使得从所述气体供给口供给气体时的所述气体供给口与支承于所述衬底支承部的所述衬底的间隔可变的方式控制所述升降部的升降动作。

2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部根据对所述衬底的处理的时机使所述间隔可变。

3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以在两步化的步骤1中缩窄所述间隔、并在步骤2中拓宽所述间隔的方式使所述间隔可变。

4.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述控制部在从对所述衬底的处理刚开始后起的一定期间、与经过所述一定期间后的剩余期间中使所述间隔可变。

5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部根据从所述气体供给口供给的气体种类使所述间隔可变。

6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以在供给吹扫气体时缩窄所述间隔的方式使所述间隔可变。

7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述控制部以在第一处理气体供给时缩窄、在第二处理气体供给时拓宽的方式使所述间隔可变。

8.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述控制部根据对所述衬底的处理的内容使所述间隔可变。

9.如权利要求8所述的衬底处理装置，所述衬底处理装置具备等离子体生成部，所述等离子体生成部将向所述衬底供给的气体等离子体化，

所述控制部在所述等离子体生成部进行等离子体化时、与所述等离子体生成部不进行等离子体化时使所述间隔可变。

10.如权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述控制部在进行循环处理时、与进行CVD处理时使所述间隔可变。

11.如权利要求1所述的衬底处理装置，所述衬底处理装置具有对所述处理室的压力进行检测的检测部，

所述控制部构成为基于由所述检测部得到的检测结果来调节所述间隔。

12.半导体器件的制造方法，其具有下述工序：

从气体供给口向支承于可升降的衬底支承部的衬底供给气体而对所述衬底进行处理的工序；和

以使得从所述气体供给口供给气体时的所述气体供给口与支承于所述衬底支承部的所述衬底的间隔可变的方式，使所述衬底支承部升降的工序。

13.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，所述制造方法具有根据对所述衬底的处理的时机使所述间隔可变的工序。

14.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，所述处理的工序具有两个工序，

以在两个工序之中的第1工序中缩窄所述间隔、在第2工序中拓宽所述间隔的方式，使所述间隔可变。

15.如权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，在从所述处理的工序刚开始后起的一定期间、与经过所述一定期间后的剩余期间中，使所述间隔可变。

16.如权利要求12所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述处理的工序中，依次供给多种气体，

根据所述气体的种类使所述间隔可变。

17.如权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述处理的工序中，具有供给吹扫气体的工序，

使供给所述吹扫气体时的所述间隔窄于供给其他气体时的间隔。