[发明专利]一种改进的OLED蒸镀装置及其改善蒸镀阴影效应的方法

说明书

本发明公开了一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板、掩膜板以及蒸发源，所述掩膜板下方设置有一个准直过滤器，所述准直过滤器包括若干通道，所述准直过滤器的各通道分别与其上方的掩膜板上对应的的开口对齐设置。还公布了通过该OLED蒸镀装置有效改善蒸镀阴影效应的方法。本发明不需要改造现有的掩膜板，仅通过本发明提供的准直过滤器，即可有效避免有机材料分子沉积到预设区域之外的临近范围，达到消除阴影效应的目的。

技术领域

本发明涉及OLED蒸镀技术领域，尤其涉及一种改进的OLED蒸镀装置及其改善蒸镀阴影效应的方法。

背景技术

目前，改善OLED阴影效应的常规手段主要集中在掩膜板的优化设计方面。由于掩膜板的面积较大，会产生由重力因素导致的掩膜板下垂问题的出现，加大了基板与掩膜板之间的间隙。

常规的OLED装置在蒸镀工艺过程中，由于基板和掩膜板之间存在一定的空隙，升华的有机材料分子会在预设的蒸镀区域之外进行沉积，产生阴影效应，如图1所示，为现有蒸镀装置示意图，有机材料储存在蒸发源中，经高温加热后形成气态分子，沿着圆锥形传播路径扩散，经过掩膜板之后在基板上进行沉积。预设的沉积区域为S1，但是考虑到掩膜板与基板之间存在空隙，有机材料分子也会在目标沉积区域附近位置进行沉积，实际的沉积区域为S2，于是就产生了偏差。而且沉积区域与3-蒸发源所在纵向法线距离越远，S1与S2的偏差越大。

常规方法是减少掩膜板内张网的重量，尽量减小基板与掩膜板之间的距离，以削弱上述问题产生的阴影效应，但是效果均不理想。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种改进的OLED蒸镀装置及其改善蒸镀阴影效应的方法。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种改进的OLED蒸镀装置，包括由上至下依次设置的基板、掩膜板以及蒸发源，所述掩膜板下方设置有一个准直过滤器，所述准直过滤器包括若干通道，所述准直过滤器的各通道分别与其上方的掩膜板上对应的的开口对齐设置。

进一步的，所述准直过滤器由金属、玻璃、聚合物或半导体材料制作而成。

进一步的，所述通道具有高高宽比的特性。

进一步的，所述通道的开口与掩膜板的开口形状及大小一样。

进一步的，所述通道的高度是其宽度的五倍以上。

进一步的，所述掩膜板为金属精细掩膜板。

进一步的，所述金属精细掩膜板的材质为因瓦合金。

本发明还提供了一种改进的OLED蒸镀装置改善蒸镀阴影效应的方法，在掩膜板下方设置具有若干通道的上述准直过滤器，从蒸发源升华的有机材料分子经过准直过滤器的通道后，偏离过滤方向一定角度的有机材料分子会被通道的内壁所阻挡，无法在再基板上进行沉积，从而达到实际沉积区域S与目标区域尽量重合的目的，以减少阴影效应。

与现有技术相比，本发明的有益技术效果：

不需要改造现有的掩膜板，仅通过本发明提供的准直过滤器，即可有效避免有机材料分子沉积到预设区域之外的临近范围，达到消除阴影效应的目的。

附图说明

下面结合附图说明对本发明作进一步说明。

图1为现有蒸镀装置示意图；

图2为本发明改进的OLED蒸镀装置结构示意图；

图3为图2的局部放大图(用于展示准直过滤器的原理)；

图4为准直过滤器的俯视示意图；

图5为准直过滤器的剖视示意图；