[发明专利]一种绝缘体上硅材料及其抗总剂量辐射的加固方法有效
| 申请号： | 201811618362.1 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109860097B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郑中山;朱慧平;孔延梅;李多力;李博;罗家俊;韩郑生;焦斌斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 材料 及其 剂量 辐射 加固 方法 | ||
1.一种绝缘体上硅材料抗总剂量辐射的加固方法，其特征在于，包括：
在第一半导体衬底上制备第一介质埋层，在第二半导体衬底上制备第二介质埋层；
在第一介质埋层上制备高k介质层，所述高k介质层的材料是指相对介电常数大于7.8的绝缘介质材料，所述高k介质层包括多层不同材料类型的高k介质层，且不同类型高k介质材料间的净被陷电荷的性质是相反的；
叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层，形成绝缘体上硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
测试获得所述第一介质埋层和所述第二介质埋层的材料的厚度与其内部被陷电荷密度及辐射剂量的第一关系；
测试获得所述高k介质层的材料的厚度与其内部被陷电荷密度及辐射剂量的第二关系；
根据所述第一关系和所述第二关系确定所述第一介质埋层、所述第二介质埋层和所述高k介质层的厚度，并确定所述高k介质层的材料类型。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一介质埋层、所述第二介质埋层和所述高k介质层在预设工作条件下的理论总被陷电荷密度值趋于0。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k介质层包括具有电子陷阱的初始负电荷的高k材料。
5.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述高k介质层包括多层不同厚度的高k介质层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述叠加连接所述高k介质层和所述第二介质埋层，包括：
键合连接所述高k介质层和所述第二介质埋层。
7.一种绝缘体上硅材料，其特征在于，包括：
依次叠置的第一半导体层、第一介质埋层、第二介质埋层和第二半导体层；
其中，所述第一介质埋层和所述第二介质埋层之间嵌设有高k介质层，所述高k介质层的材料是指相对介电常数大于7.8的绝缘介质材料，所述高k介质层包括多层不同材料类型的高k介质层，且不同类型高k介质材料间的净被陷电荷的性质是相反的。
8.如权利要求7所述的绝缘体上硅材料，其特征在于，所述第一介质埋层、所述第二介质埋层和所述高k介质层在预设工作条件下的理论总被陷电荷密度值趋于0。
9.如权利要求7所述的绝缘体上硅材料，其特征在于，所述高k介质层包括具有电子陷阱的初始负电荷的高k材料。
10.如权利要求7所述的绝缘体上硅材料，其特征在于，所述高k介质层包括多层不同厚度的高k介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
