[发明专利]一种基于VPX的高速海量Flash存储模块在审
申请号: | 201811618243.6 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109408425A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 母洪强;石晶林;胡金龙 | 申请(专利权)人: | 中科院计算技术研究所南京移动通信与计算创新研究院 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;H04L12/931;H04L12/933 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 谭晓欣 |
地址: | 211135 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储功能模块 交换板 存储控制模块 存储容量 存储设备 读写操作 光纤通路 数据通过 全双工 体积小 重量轻 读写 存取 存储 携带 | ||
本发明公开了一种基于VPX的高速海量Flash存储模块,包括VPX光线交换板、12套VPX存储功能模块和VPX总线,VPX光线交换板为基于VPX总线的12通道光线存储控制模块,最多集成12路全双工6.25Gbps光纤通路接口,可实现将接收的数据通过VPX总线对12套VPX存储功能模块进行高速读写操作,每套VPX存储功能模块的读写速率高于250MB/s;每套VPX存储功能模块的容量为1T字节,12套VPX存储功能模块供提供12T字节以上容量,实现了存储容量大于12TB,存储速度最高高于3GB/s的存储设备,既具有高的存取速度,也具有体积小重量轻方便携带的优点。
技术领域
本发明涉及数据存储领域,特别是一种基于VPX的高速海量Flash存储模块。
背景技术
当前存储领域主要有2种典型的存储方式:基于DDR的存储、基于物理磁盘阵列的存储。基于DDR的存储速度快,体积轻便,存储速度可达GB/s的量级;基于物理磁盘阵列的存储具有存储容量大,掉电非易失的优点,存储容量可达TB的量级,但是基于DDR的存储设备具有掉电丢失、容量有限等缺点,基于物理硬盘的存储设备具有体积大笨重,存储速度慢等缺点,两种存储方式均无法兼顾容量和存储速度两个方面。
发明内容
为解决上述问题,本发明的目的在于提供一种基于VPX的高速海量Flash存储模块,基于大规模FPGA器件、高速光纤接口和海量Flash存储阵列灯技术,实现了一种存取速度快、容量大的海量高速存储设备,既具有高的存取速度,也具有体积小重量轻方便携带的优点。
本发明解决其问题所采用的技术方案是:
一种基于VPX的高速海量Flash存储模块,包括VPX光线交换板、12套VPX存储功能模块和VPX总线,其中:
VPX光线交换板:包括第一FPGA器件、第二FPGA器件、PowerPC处理器和SRIO开关,所述第一FPGA器件、第二FPGA器件和PowerPC处理器分别与所述SRIO开关连接,所述第一FPGA器件和第二FPGA器件集成有基于SRIO标准协议的全双工数据传输接口,所述PowerPC处理器连接千兆以太网;
12套VPX存储功能模块:每套VPX存储功能模块容量为1T字节,包括FPGA控制器、扩展Flash模块接口、Flash芯片阵列1和Flash芯片阵列2,所述扩展Flash模块接口、Flash芯片阵列1和Flash芯片阵列2分别连接所述FPGA控制器;
VPX总线:用于连接SRIO开关和12套VPX存储功能模块的FPGA控制器。
进一步,所述VPX光线交换板设置有第一FMC接口和第二PMC接口,所述第一FPGA器件和第一FMC接口之间提供8对SRIO高速串行接口和34对差分线,8对SRIO高速串行接口用于实现光纤连接,速率为6.25Gbps,34对差分线的速率为800Mb/s。
进一步,所述第一FPGA器件和第二FPGA器件均分别外挂64M×32b DDR4 SDRAM和4M×36b QDRII SDRAM。
进一步,所述第一FPGA器件和第二FPGA器件均提供8对高速串行接口,从P3引出;20对差分接口,从P4引出;所述第一FPGA器件和第二FPGA器件之间提供×4rapidIO直接连接。
进一步,所述PowerPC处理器选用PowerPC 8641/0D,工作频率1GHz,外挂2组512MB(64M×64b)DDR4 SDRAM,乒乓方式;同时提供×8PCI-e接口、千兆以太网接口和RS-232/422接口。
进一步,所述VPX光线交换板还包括一片配置FPGA,分别连接第一FPGA器件、第二FPGA器件和PowerPC处理器,用于对第一FPGA器件、第二FPGA器件和PowerPC处理器进行配置。
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