[发明专利]瞬态电流抑制电阻及电力装置有效
| 申请号： | 201811617151.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109712765B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陶雄飞;孙建军;邢伟 | 申请（专利权）人： | 武汉世纪精能科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/13 | 分类号： | H01C7/13;H01C1/032;H01C1/14;H02H9/02 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 瞬态 电流 抑制 电阻 电力 装置 | ||
1.一种瞬态电流抑制电阻，其特征在于，包括依次设置的第一绝缘层、第一电极层、激活层、第二绝缘层及第二电极层；其中，所述激活层采用相变材料制成；
所述第一绝缘层及第二绝缘层均设置有通孔，所述第一电极层设置于第一绝缘层的通孔中；所述激活层至少部分设置于所述第二绝缘层的通孔中；
所述相变材料，用于在内部温度高于融化温度时，进入熔融的非晶态，以抑制瞬态故障电流；
所述相变材料，还用于在所述瞬态故障电流消失后，接收晶化操作脉冲，以恢复为晶态。
2.如权利要求1所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述第一绝缘层与所述激活层中心重合，所述第一绝缘层面积大于所述激活层面积。
3.如权利要求2所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述相变材料为包含锗锑蹄元素的半导体合金。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述瞬态电流抑制电阻还包括引线层，所述引线层设置于所述第一绝缘层的一侧。
5.如权利要求4所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述引线层采用包含钛和钨元素的金属合金制成。
6.如权利要求5所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述引线层与第二电极层均呈“工”字形状，所述引线层与第二电极层之间相互垂直设置。
7.如权利要求1至3中任意一项所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述第一绝缘层及第二绝缘层采用二氧化硅制成。
8.如权利要求1至3中任意一项所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述第二绝缘层设置有通孔，所述通孔的中心位置与所述第二绝缘层的中心位置重合。
9.如权利要求1所述的瞬态电流抑制电阻，其特征在于，所述第一绝缘层、第一电极层、激活层、第二绝缘层及第二电极层的中心位置重合。
10.一种电力故障保护装置，其特征在于，所述电力故障保护装置包括如权利要求1至9中任意一项所述的瞬态电流抑制电阻。
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