[发明专利]MEMS封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS封装结构，其特征在于，包括：

器件晶圆，具有相对的第一表面和第二表面，所述器件晶圆中设置有控制单元以及与所述控制单元电连接的第一互连结构和第二互连结构；

第一接触垫，设置于所述第一表面，所述第一接触垫与所述第一互连结构电连接；

至少两个MEMS芯片，接合于所述第一表面，所述MEMS芯片具有封闭的微腔、用于连接外部电信号的第二接触垫以及与所述第一表面相对的接合面，所述第一接触垫与相应的所述第二接触垫通过化学镀形成的电连接块电连接；

接合层，位于所述第一表面和所述接合面之间以接合所述器件晶圆和所述至少两个MEMS芯片，所述接合层中具有开口，所述开口露出所述电连接块的侧面；以及

再布线层，设置于所述第二表面，所述再布线层与所述第二互连结构电连接。

2.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述再布线层包括输入输出连接件。

3.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片根据制作工艺区分属于相同或不同的类别。

4.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片根据对应的微腔内的真空度区分属于相同或不同的类别。

5.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，多个所述MEMS芯片设置于所述第一表面，且多个所述MEMS芯片包括陀螺仪、加速度计、惯性传感器、压力传感器、位移传感器、光学传感器和微致动器中的至少一种。

6.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述控制单元包括一个或多个MOS晶体管。

7.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述第一互连结构包括第一导电插塞，所述第一导电插塞至少贯穿部分厚度的所述器件晶圆并与所述控制单元电连接，所述第一导电插塞的一端暴露于所述第一表面以与所述第一接触垫电连接；所述第二互连结构包括第二导电插塞，所述第二导电插塞至少贯穿部分厚度的所述器件晶圆并与所述控制单元电连接，所述第二导电插塞的一端暴露于所述第二表面以与所述再布线层电连接。

8.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述器件晶圆为减薄晶圆。

9.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，还包括：

封装层，位于所述接合面上，所述封装层覆盖所述MEMS芯片并填充所述接合层中的开口。

10.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述接合层包括胶黏材料。

11.如权利要求10所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述胶黏材料包括干膜。

12.如权利要求1所述的MEMS封装结构，其特征在于，所述微腔内填充有阻尼气体或者为真空。