[发明专利]一种半导体封装方法及半导体封装器件在审
申请号: | 201811615060.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109712899A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 周锋;卢海伦 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 226000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体封装 基板 半导体封装器件 助焊剂层 焊料层 芯片 芯片表面 金属件 背对 引脚 申请 | ||
1.一种半导体封装方法,其特征在于,所述半导体封装方法包括:
在基板/框架的至少一个第一引脚上形成第一焊料层;
在所述第一焊料层背对所述基板/框架一侧形成第一助焊剂层;
将芯片表面的金属件与所述第一助焊剂层接触;
将所述芯片与所述基板/框架进行回流,以使得所述芯片与所述基板/框架固定。
2.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在基板/框架的至少一个第一引脚上形成第一焊料层,包括:
在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚形成焊料块;
将所述基板/框架进行回流处理,所述焊料块在所述第一引脚表面铺展形成第一焊料层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚形成焊料块,包括:
利用植球机在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚上形成焊料球。
4.根据权利要求3所述的半导体封装方法,其特征在于,所述焊料块在所述第一引脚表面铺展形成第一焊料层包括:
所述焊料球在所述第一引脚远离所述基板/框架一侧铺展形成所述第一焊料层,且所述第一焊料层不铺展至所述第一引脚的侧面。
5.根据权利要求2所述的半导体封装方法,其特征在于,
所述在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚形成焊料块之前,所述半导体封装方法还包括:在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚上形成第二助焊剂层;
所述在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚形成焊料块,包括:在所述第二助焊剂层上形成所述焊料块。
6.根据权利5所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚上形成第二助焊剂层包括:
利用印刷机在所述基板/框架的至少一个所述第一引脚上形成所述第二助焊剂层。
7.根据权利要求1所述的半导体封装方法,其特征在于,所述在所述第一焊料层背对所述基板/框架一侧形成第一助焊剂层,包括:
利用印刷机在所述第一焊料层背对所述基板/框架一侧形成第一助焊剂层。
8.一种半导体封装器件,其特征在于,所述半导体封装器件采用权利要求1-7任一项所述的半导体封装方法形成,所述半导体封装器件包括:
基板/框架,设置有至少一个第一引脚;
第一焊料层,设置于所述第一引脚的表面;
芯片,设置有金属件,所述金属件通过所述第一焊料层与所述基板/框架固定,其中,第一焊料层爬升至所述芯片的所述金属件上的高度小于等于30微米。
9.根据权利要求8所述的半导体封装器件,其特征在于,
所述第一焊料层覆盖所述第一引脚远离所述基板/框架的一侧且不覆盖所述第一引脚的侧面。
10.根据权利要求8所述的半导体封装器件,其特征在于,
所述芯片包括焊盘,所述金属件包括金属凸点/金属凸柱和镍层,所述金属凸点/金属凸柱位于所述焊盘与所述镍层之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造