[发明专利]一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法有效
申请号: | 201811614888.2 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109840163B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 李乾男;龙晓东;薛小飞 | 申请(专利权)人: | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F12/02 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 赵逸宸 |
地址: | 710055 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 nand flash 错误 数据 冗余 替换 方法 | ||
1.一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,包括步骤:
1)对于不同位数的内部数据总线,采用相应深度的FIFO,并对FIFO进行定义:将FIFO的一部分定义为索引区,其余部分定义为数据区;其中,相应深度至少为2+2N-3;
2)读入阵列损坏单元对应的page buffer地址到所述索引区;
3)根据步骤2)中的page buffer地址从page buffer中读取包含替换字节的数据,并存储到所述数据区;
4)从步骤3)读取的所有数据中各取出要替换的一个字节;
5)将步骤4)取出的要替换的字节写入page buffer的冗余区域。
2.根据权利要求1所述的Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,所述步骤1)具体为:根据内部数据总线的位数2N,采用深度至少为2+2N-3的FIFO,将该FIFO的低至少2个深度定义为索引区,其余深度定义为数据区,且数据区的深度应大于等于所要读取的包含替换字节的数据个数;其中N为大于等于4的整数。
3.根据权利要求2所述的Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,所述N为4、5、6或7。
4.根据权利要求2或3所述的Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,所述索引区的每个深度平均分成2N-4部分,每部分分别存储一个坏字节的地址。
5.根据权利要求4所述的Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,所述步骤3)具体为:
根据步骤2)中的地址从page buffer中读取包含替换字节的2N-3个2N位数据,并存储到所述数据区;每个2N位数据包含一个要替换的字节。
6.根据权利要求2或3所述的Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,所述步骤3)具体为:
根据步骤2)中的地址从page buffer中读取包含替换字节的2N-3个2N位数据,并存储到所述数据区;每个2N位数据包含一个要替换的字节。
7.一种Nand-Flash错误数据冗余替换方法,其特征在于,包括步骤:
1)设定存储FIFO和索引FIFO;其中:对于不同位数的内部数据总线,采用相应深度的存储FIFO;其中,相应深度至少为2+2N-3;
2)读入阵列损坏单元对应的page buffer地址,将所读入地址的低N-3位作为字节索引地址存储到所述索引FIFO中;其中:N由内部数据总线的位数2N确定,且N为大于等于4的整数;
3)根据步骤2)读入的地址,从page buffer读入2N-3个2N位的数据到所述存储FIFO中;
4)根据所述索引FIFO中存储的字节索引地址,从所述存储FIFO中取出2N-3个要替换的字节;
5)将步骤4)取出的2N-3个要替换的字节写入page buffer的冗余区域。
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