[发明专利]形成个别地包括可编程电荷存储晶体管的竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法

说明书

本申请案涉及形成个别地包括可编程电荷存储晶体管的竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。该方法包括形成包括交替绝缘层体及字线层体的堆叠，其中，将所述字线层体形成为包括具有对应于个别存储器单元的控制栅极区域的端子端部的控制栅极材料，且具有所述个别存储器单元的横向地在电荷存储材料与所述控制栅极区域中的个别者之间的电荷阻挡区域。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及形成个别地包括可编程电荷存储晶体管的竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制作成个别存储器单元的一或多个阵列。存储器单元可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)来写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长的时间段。非易失性存储器常规地指定为具有至少约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散且因此对其进行刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。无论如何，存储器单元经配置以按照至少两种不同可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个层级或状态的信息。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括其间具有半导电沟道区域的一对导电源极/漏极区域。导电栅极邻近沟道区域且通过薄栅极绝缘体与其分离。将适合电压施加到栅极会允许电流通过沟道区域从源极/漏极区域中的一者流动到另一者。当从栅极移除电压时，会在很大程度上防止电流流动通过沟道区域。场效应晶体管还可包含额外结构(举例来说，可逆地可编程电荷存储区域)作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有许多用途。举例来说，现代个人计算机可具有存储于快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，计算机及其它装置越来越普遍在固态驱动器机中利用快闪存储器来代替常规硬驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中较流行，这是因为其使得制造商能够在新的通信协议成为标准化时支持所述新的通信协议，且能够提供使装置远程更新以增强特征的能力。

NAND可为集成快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括串联耦合到存储器单元的串联组合(其中串联组合通常称为NAND串)的至少一个选择装置。NAND架构可配置成包括垂直堆叠的存储器单元的三维布置，所述存储器单元个别地包括可逆地可编程垂直晶体管。

发明内容

本发明的一个实施例涉及一种形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，且所述存储器单元个别地包括可编程电荷存储晶体管。所述方法包括：形成包括交替绝缘层体及字线层体的堆叠，选择栅极层体在所述绝缘层体的上部上面，沟道开口延伸穿过所述交替层体及所述选择栅极层体；在所述沟道开口内竖向地沿着所述交替层体及所述选择栅极层体形成电荷存储材料；在所述沟道开口内横向地在所述电荷存储材料上方形成牺牲材料，所述电荷存储材料横向地在所述选择栅极层体上方且横向地在所述交替层体上方；蚀刻所述沟道开口内的所述电荷存储材料及所述牺牲材料中的每一者的竖向外部分；在所述蚀刻之后，从所述沟道开口移除所述牺牲材料；在所述移除之后，在所述沟道开口内横向地在所述电荷存储材料上方形成绝缘电荷通过材料，接着形成沟道材料，所述电荷存储材料横向地在所述字线层体上方；及将所述字线层体形成为包括具有对应于个别存储器单元的控制栅极区域的端子端部的控制栅极材料，且具有所述个别存储器单元的横向地在所述电荷存储材料与所述控制栅极区域中的个别者之间的电荷阻挡区域。