[发明专利]垂直双极晶体管

说明书

可以提供一种垂直双极晶体管，所述垂直双极晶体管包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和与第一导电类型不同的第二导电类型的第二阱，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸；第二鳍，从第一阱延伸；第三鳍，从第二阱延伸；第一导电区，位于第一鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二导电区，位于第二鳍上，具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三导电区，位于第三鳍上，具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。

本申请要求于2017年12月27日在美国专利及商标局提交的第62/610,625号美国临时专利申请的优先权和于2018年10月4日在美国专利及商标局提交的第16/151,511号美国专利申请的优先权以及从所述美国临时专利申请和所述美国专利申请获得的全部权益，所述美国临时专利申请和所述美国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

这里公开的发明构思的一些示例实施例涉及垂直双极晶体管，更具体地，涉及与垂直场效应晶体管制造工艺兼容的垂直双极晶体管。

背景技术

由于例如垂直场效应晶体管(VTFET)的改善的可缩放性和相对较低的中段工艺(MOL)电容，已经广泛研究了VTFET作为鳍式场效应晶体管(FinFET)的理想的替代物。然而，就例如应变工程、变化控制和对功率器件的应用而言，VTFET仍有许多问题待解决。

因为VTFET沿垂直方向限定沟道，所以通常使用额外的工艺步骤来提供垂直双极晶体管。因此，需要相对简单结构的双极晶体管，可以在不引入额外的工艺步骤的情况下制造双极晶体管。

发明内容

发明构思的一些示例实施例提供了垂直双极晶体管。

发明构思的一些示例实施例提供了垂直双极晶体管，其可在形成垂直场效应晶体管的同时制造而无需引入额外的工艺步骤。

根据发明构思的示例实施例，一种垂直双极晶体管可以包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，第二导电类型与第一导电类型不同，第一阱与第二阱邻接；第一鳍，从第一阱延伸，第一鳍包括位于其顶部的第一导电区，第一导电区具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第二鳍，从第一阱延伸并与第一鳍间隔开，第二鳍包括位于其顶部的第二导电区，第二导电区具有第一导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及第三鳍，从第二阱延伸，第三鳍包括位于其顶部的第三导电区，第三导电区具有第二导电类型并且被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。

根据发明构思的示例实施例，一种垂直双极晶体管可以包括：基底，包括第一导电类型的第一阱和第二导电类型的第二阱，第二导电类型与第一导电类型不同，第一阱与第二阱邻接；第一导电区，位于第一阱中，第一导电区具有第二导电类型，第一导电区被构造为用作所述垂直双极晶体管的发射极；第一鳍，从基底的第一阱延伸，第一鳍与第一导电区横向地间隔开，第一鳍包括位于其顶部的第二导电区，第二导电区具有第一导电类型；第二鳍，从基底的第二阱延伸，第二鳍包括位于其顶部的第三导电区，第三导电区具有第二导电类型；至少一个子基极区，位于第一阱中，所述至少一个子基极区具有第一导电类型，所述至少一个子基极区关于第一鳍对齐并且与第一导电区横向地间隔开，第二导电区和所述至少一个子基极区共同被构造为用作所述垂直双极晶体管的基极；以及至少一个子集电极区，位于第二阱中，所述至少一个子集电极区具有第二导电类型，所述至少一个子集电极区关于第二鳍对齐并且与所述至少一个子基极区横向地间隔开，第三导电区和所述至少一个子集电极区共同被构造为用作所述垂直双极晶体管的集电极。