[发明专利]单、双轴磁场传感器与其制备方法以及设备在审
| 申请号： | 201811612027.0 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109633496A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 郭宗夏;曹志强;闫韶华;安琪;冷群文;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/06;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京太合九思知识产权代理有限公司 11610 | 代理人： | 刘戈 |
| 地址： | 266104 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁阻模块 磁场传感器 惠斯通电桥 磁化方向 参考层 传感轴 单 双 单轴 桥臂 制备 易磁化轴垂直 单轴传感器 角平分线 制备工艺 复杂度 衬底 申请 串联 平行 | ||
1.一种单轴磁场传感器，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的第一惠斯通电桥，所述第一惠斯通电桥包括两第一磁阻模块组和两第二磁阻模块组；其中，
所述两第一磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第一相对桥臂上，所述第一磁阻模块组中第一磁阻模块的参考层磁化方向均与所述单轴磁场传感器的第一传感轴的第一方向相同；
所述两第二磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第二相对桥臂上，所述第二磁阻模块组包括串联的两个第二磁阻模块；所述两个第二磁阻模块的参考层磁化方向所成第一夹角的角平分线与所述第一传感轴平行；其中，所述第一夹角大于0°小于180°；
所述第一磁阻模块和所述第二磁阻模块各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。
2.根据权利要求1所述的单轴磁场传感器，其特征在于，所述第一夹角大于80°且小于100°。
3.根据权利要求1所述的单轴磁场传感器，其特征在于，所述第一夹角为90°。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的单轴磁场传感器，其特征在于，
所述第一磁阻模块组中包括串联的两个所述第一磁阻模块；
所述第一磁阻模块的低阻态阻值与所述第二磁阻模块的低阻态阻值相等；
所述第一磁阻模块的高阻态阻值与所述第二磁阻模块的高阻态阻值相等。
5.根据权利要求4所述的单轴磁场传感器，其特征在于，所述第一磁阻模块由Q个第一磁阻单元串联而成；所述第二磁阻模块由Q个第二磁阻单元串联而成；所述第一磁阻单元和所述第二磁阻单元的形状相同；
所述Q个第一磁阻单元的易磁化轴相互平行；
所述Q个第二磁阻单元的易磁化轴相互平行；
其中，Q为正整数。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的单轴磁场传感器，其特征在于，所述第二磁阻模块的参考层磁化方向与所述第一传感轴的第一方向所成第三夹角为锐角。
7.一种双轴磁场传感器，其特征在于，包括：衬底；
位于所述衬底上的具有第一传感轴的第一惠斯通电桥和具有第二传感轴的第二惠斯通电桥，其中，所述第一传感轴和所述第二传感轴相互垂直；
所述第一惠斯通电桥包括两第一磁阻模块组和两第二磁阻模块组；其中，所述两第一磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第一相对桥臂上，所述第一磁阻模块组中第一磁阻模块的参考层磁化方向均与所述单轴磁场传感器的第一传感轴的第一方向相同；所述两第二磁阻模块组分别位于所述第一惠斯通电桥的第二相对桥臂上，所述第二磁阻模块组包括串联的两个第二磁阻模块；所述两个第二磁阻模块的参考层磁化方向所成第一夹角的角平分线与所述第一传感轴平行；其中，所述第一夹角大于0°小于180°；
所述第二惠斯通电桥包括分别位于其各桥臂上的四个第三磁阻模块；分别位于所述第二惠斯通电桥的相邻桥臂上的两所述第三磁阻模块的参考层磁化方向所成第二夹角的角平分线与所述第一传感轴平行；分别位于所述第二惠斯通电桥的相邻桥臂上的两所述第三磁阻模块的参考层磁化方向所成第二夹角大于0°小于180°；
所述第一磁阻模块、所述第二磁阻模块和所述第三磁阻模块各自的参考层磁化方向与各自的易磁化轴垂直。
8.一种电子设备，其特征在于，包括上述权利要求1至6中任一项所述的单轴磁场传感器。
9.一种电子设备，其特征在于，包括上述权利要求7所述的双轴磁场传感器。
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