[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811611783.1 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109650326A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 季锋;刘琛;葛俊山;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护膜 质量块 去除 衬底 键合区 牺牲层 制造 侧壁 保护膜覆盖 衬底表面 空腔 封装 遮挡 清洁 保留 申请 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法，包括：
在第一衬底上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成质量块；
刻蚀所述质量块形成第一凹槽；
经由所述第一凹槽去除部分所述牺牲层形成空腔；
在所述质量块上形成第一键合区；
形成保护膜，所述保护膜覆盖所述第一键合区、所述质量块与所述第一衬底的表面以及所述第一凹槽的侧壁；以及
去除部分所述保护膜，
其中，在去除所述保护膜的步骤中，位于所述第一凹槽的侧壁的所述保护膜、位于所述质量块与所述第一衬底相对的表面的所述保护膜以及位于所述第一衬底表面的所述保护膜因被所述质量块遮挡而被保留。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述保护膜还覆盖所述牺牲层的侧壁，在去除所述保护膜的步骤中，位于所述牺牲层的侧壁的所述保护膜因被所述质量块遮挡而被保留。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除所述保护膜的步骤包括：
利用低压石英汞灯产生紫外线；以及
采用所述紫外线照射所述保护膜至预定时间，
其中，所述紫外线与所述MEMS器件呈预设角度。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，去除所述保护膜的方法包括紫外线-臭氧清洗。
5.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述预设角度的范围包括5°至60°。
6.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述预设角度包括40°至50°。
7.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述预定时间的范围包括10至60分钟。
8.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述紫外线的波长选自254nm与185nm中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述第一凹槽的深度与宽度之比不小于5。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其中，所述第一凹槽的深度与宽度之比的范围包括5至30。
11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述保护膜的材料选自有机硅烷类有机膜与有机硅氧烷类有机膜中的至少一种。
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