[发明专利]一种太阳能电池的电极制备方法在审
| 申请号: | 201811611556.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN111384184A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 陈涛;李新连 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L21/3213 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 制备 方法 | ||
本发明提供一种太阳能电池的电极制备方法。包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成第一电极层;通过等离子刻蚀使所述第一电极层形成子第一电极层。本发明通过等离子刻蚀第一电极层,使第一电极层形成至少两个相互绝缘的子第一电极层,相对于现有通过激光刻蚀过程中可能使太阳能电池的电极发生变形,该方案由于不会出现能量集中而不会使电极层发生变形,从而不会影响其他膜层,有助于提高太阳能电池的稳定性。
技术领域
本发明涉及太阳能发电技术领域,尤其涉及一种太阳能电池的电极制备方法。
背景技术
CIGS薄膜太阳能组件通常包括多个互相串联的太阳能电池,为了形成串联结构,一般通过激光将基板上的Mo层或其他电极材料上进行划线刻划,形成多个电极图形。在利用激光刻划过程中,Mo等金属由于激光束的高脉冲能量而汽化,在刻线附近的Mo等金属容易发生变形形成火山口以及热影响区域,而发生变形的电极材料可能刺入其他膜层中,例如形成火山口的电极材料刺入或穿过光吸收层中,并导致其他膜层短路或电连接,影响太阳能组件的性能。
发明内容
本发明实施例提供一种太阳能电池的电极制备方法,以解决现有太阳能电池的电极制备方法中,电极材料可能在激光刻划过程中由于高脉冲能量而变形影响太阳能组件性能的问题。
本发明实施例提供了一种太阳能电池的电极制备方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一电极层;
通过等离子刻蚀所述第一电极层,用于将所述第一电极层形成子第一电极层。
可选的,所述通过等离子刻蚀所述第一电极层,包括:
将掩膜版掩盖所述第一电极层,所述掩膜版上开设有多个贯穿所述掩膜版的通孔;
利用等离子体通过所述通孔轰击所述第一电极层,以形成相互绝缘的至少两个所述子第一电极层。
可选的,所述利用等离子体通过所述通孔轰击所述第一电极层,包括:
在辉光放电状态下,使气体解离生成的带电粒子,并使所述带电粒子在电场的作用下轰击所述第一电极层。
可选的,所述通过等离子刻蚀使所述第一电极层的步骤中;
射频电源的上电极功率为1500至2500瓦;及/或
射频电源的下电极功率为5至35瓦;及/或
反应压力为50至100Pa;及/或
刻蚀时间为5至80秒。
可选的,所述通过等离子刻蚀使所述第一电极层的步骤中;
射频电源的上电极功率为1700至1900瓦;及/或
射频电源的下电极功率为22至25瓦;及/或
反应压力为70至80Pa;及/或
刻蚀时间为5至10秒。可选的,所述电极制备方法在反应腔内进行;
所述方法还包括:
在利用等离子体轰击所述第一电极层时,利用抽气装置排放所述反应腔内的气体。
可选的,所述在所述衬底基板上形成第一电极层,包括:
在物理气相沉积设备的反应腔中通过物理气相沉积工艺在所述衬底基板上形成第一电极层;
所述通过等离子刻蚀所述第一电极层,包括:
在同一所述物理气相沉积设备中,通过等离子刻蚀使所述第一电极层形成子第一电极层所述子第一电极层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811611556.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





