[发明专利]一种高速离线驱动器中的电平转换器有效

专利信息
申请号: 201811611201.X 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN109412578B 公开(公告)日: 2023-10-03
发明(设计)人: 杜伟 申请(专利权)人: 深圳讯达微电子科技有限公司
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185
代理公司: 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 代理人: 张倩
地址: 518003 广东省深圳市罗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高速 离线 驱动器 中的 电平 转换器
【权利要求书】:

1.一种高速离线驱动器中的电平转换器,包括电平转换模块,其特征在于:还包括偏置模块、辅助模块一和辅助模块二;

所述偏置模块用于向辅助模块一和辅助模块二提供弱打开电流;

所述辅助模块一连接在外部电源与电平转换模块的PMOS管p1和NMOS管n1管之间,外部电源VEXT向电平转换模块的输出节点充电,使得输出信号ls_out_c瞬间升高;

所述辅助模块二连接在外部电源与电平转换模块的PMOS管p2和NMOS管n2管之间,外部电源VEXT向电平转换模块的输出节点充电,使得输出信号ls_out_t瞬间升高。

2.根据权利要求1所述的高速离线驱动器中的电平转换器,其特征在于:偏置模块包括电流源和PMOS管p5,所述PMOS管p5的g级与电流源的输入端、PMOS管p5的d级、辅助模块一的输入端以及辅助模块二的输入端连接;

PMOS管p5的S级与外部电源VEXT连接。

3.根据权利要求2所述的高速离线驱动器中的电平转换器,其特征在于:辅助模块一包括电阻r1、PMOS管p3以及可调电容c1,所述可调电容c1的一端与输入信号ls_in_t连接,可调电容c1的另一端与电阻r1的一端以及PMOS管p3的g级连接于节点g1;电阻r1的另一端接PMOS管p5的g级;PMOS管p3的s级接外部电源VEXT;PMOS管p3的d级接电平转换模块的PMOS管p1的d级以及NMOS管n1的d级。

4.根据权利要求1所述的高速离线驱动器中的电平转换器,其特征在于:辅助模块二包括电阻r2、PMOS管p4以及可调电容c2,所述可调电容c2的一端与输入信号ls_in_c连接,可调电容c2的另一端与电阻r2的一端以及PMOS管p4的g级连接于节点g2;电阻r2的另一端接PMOS管p5的g级;PMOS管p4的s级接外部电源VEXT;PMOS管p4的d级接电平转换模块的PMOS管p2的d级以及NMOS管n2的d级。

5.根据权利要求3或4所述的高速离线驱动器中的电平转换器,其特征在于:辅助模块一和辅助模块二还分别包括VT校准器用于调节可调电容c1和可调电容c2的电容值。

6.根据权利要求5所述的高速离线驱动器中的电平转换器,其特征在于:所述VT校准器包括温度检测器、电压比较器和电容算法器,温度检测器用于检测电平转换器的芯片内部温度Temp;电压比较器用于检测外部电源VEXT和内部电源VINT的电压差Voffset;电容算法器是通过芯片内部温度Temp以及电压差Voffset查找出最合适的电容控制码Cadjuct<7:0>。

7.一种电容调节方法,其特征在于包括以下步骤:

1)通过仿真实验,得到不同的温度和电压差所对应的最优电容值,并转化为电容控制码Cadjuct<7:0>,以表格的形式存在电容算法器器中;

2)检测所工作的芯片内部温度Temp;

3)检测外部电源VEXT和内部电源VINT的电压差Voffset;

4)根据芯片内部温度Temp和电压差Voffset查找出当前最匹配的电容控制码Cadjuct<7:0>;

5)电容控制码Cadjuct<7:0>调节电容容值。

8.一种高速离线驱动器,包括内部电路模块、权利要求1-6所述的电平转换器、反相器inv1以及反相器inv2。

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