[发明专利]一种制备In(OH)3-ZnIn2S4制氢材料的方法在审
| 申请号: | 201811610549.7 | 申请日: | 2018-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN109675587A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 张旭红;袁书芳;闫晓铭;谷红新;仇娟;于海涛 | 申请(专利权)人: | 河北师范大学 |
| 主分类号: | B01J27/04 | 分类号: | B01J27/04;B01J37/10;C01B3/04 |
| 代理公司: | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 13100 | 代理人: | 董金国 |
| 地址: | 050024 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制备 蒸馏水 制氢材料 复合物 高温高压反应釜 光催化分解水 反应液转移 光催化活性 光生载流子 聚四氟乙烯 持续搅拌 乙醇洗涤 复合材料 抽滤瓶 混合液 抽滤 带边 滴加 硫脲 内衬 匹配 半导体 | ||
本发明公开了一种光催化分解水制氢材料In(OH)3‑ZnIn2S4复合物的制备方法。将0.2975g的Zn(NO3)2·6H2O、0.6017g In(NO3)3·4.5H2O和0.6090g的硫脲溶于蒸馏水中混合,在持续搅拌下,将0.2 mol/L NaOH滴加到溶液中调节pH为4—6;稳定半小时后,将混合液转移到100ml以聚四氟乙烯为内衬的高温高压反应釜中,反应温度为160℃—180℃,反应时间为10‑14h;将反应液转移到抽滤瓶中进行抽滤,然后分别用蒸馏水和乙醇洗涤3次,在60℃—100℃下干燥3—5小时,得到In(OH)3‑ZnIn2S4复合物。本发明的制备方法由两种具有匹配带边势的半导体组成的复合材料,可以极大地促进光生载流子对的分离,提高光催化活性。
技术领域
本发明涉及一种制备In(OH)3-ZnIn2S4制氢材料的方法,属于光催化材料技术领域。
背景技术
进入21世纪,人类文明发展正面临着能源危机和环境污染两大问题,寻求一种清洁可再生能源迫在眉睫。氢气是一种具有高燃料价值、高效率、能够长期储存的清洁能源。目前的氢气生产主要依靠煤和天然气的改造,这种途径必然增加不可再生能源的消耗,造成环境污染问题。因此,建立光化学系统作为生成替代能源的一种方法是非常重要的,也是解决能源和环境问题的基本方法。从1972年Fujishima和Honda两位科学家通过光电化学的方法将水分解为氢气和氧气开始,科学家们开始致力于半导体光催化分解水的研究。光催化分解水最具挑战性的任务是开发高效光催化剂,提高催化剂对太阳光的吸收。由于半导体的带隙能限制,有些催化剂只能吸收太阳光中的紫外光,这无形中浪费了太阳光中的大部分能量,但现在科学家们已经研究出大量能吸收可见光的催化剂,光催化分解水进入了一个新时代。在光催化分解水过程中,半导体既要具有合适的带宽,也可以同时吸收光子能量来产生氢气和氧气,但这种反应是热力学非自发的,吉布斯自由能约为237 kJ/mol。一般来说,半导体的带隙宽度应大于水分解的理论电压值1.23eV ,但实际上半导体的带隙能应大于2eV才能确保反应的发生。光催化分解水的发生一般需要三个步骤:(1) 光催化剂吸收的光子能量需大于该材料的带隙能,并在催化剂半导体内产生光激发电子-空穴对;(2) 光激发的载流子在向表面迁移时有一部分会发生复合,电子从半导体的价带受到激发跃迁至导带,同时在价带得到空穴;(3) 水被光生电子和空穴分别在导带和价带发生还原反应和氧化反应,产生H2和O2。反应的发生受光催化剂结构和电子性质的影响很大,半导体的高结晶度,大比表面积对光催化性能有积极的影响。光催化整体分解水通常被认为是两个半反应结合在一起,即水被还原为氢气和水被氧化为氧气,在光催化全解水的过程中不加入任何的牺牲试剂,半导体受到激发,电子由价带跃迁到导带,电子则在导带将水还原为氢气,留在价带的空穴则将水氧化为氧气。尽管在光催化产氢半反应和产氧半反应取得了很大的进展,但设计一个高效的光催化全解水系统仍然是一个巨大的挑战,到目前为止,研究结果并不能达到大范围应用的地步。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备In(OH)3-ZnIn2S4制氢材料的方法,为
促进光催化生产氢提供了新材料。
本发明是这样实现的。一种制备In(OH)3-ZnIn2S4制氢材料的方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北师范大学,未经河北师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811610549.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





