[发明专利]一种声场质点振速敏感结构及制备方法

权利要求书

1.一种声场质点振速敏感结构，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的两侧分别设有电极，两侧的电极之间设有薄丝，其特征在于：所述薄丝为多个薄丝，并且对应每个薄丝，在桥孔的两侧相应各设有1个电极；所述多个薄丝中位于最外侧的薄丝为通电加热薄丝，其余薄丝为敏感薄丝；所述声场质点振速敏感结构为单侧非等间距桥式薄丝敏感结构。

2.根据权利要求1所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：所述多个薄丝由外至内排列，薄丝间距由外至内逐步变大。

3.根据权利要求1或2所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：通电加热薄丝的宽度大于敏感薄丝的宽度。

4.根据权利要求3所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：各敏感薄丝的宽度、结构及材料相同。

5.根据权利要求4所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：通电加热薄丝的宽度为8～10μm，敏感薄丝的宽度为1～2μm。

6.根据权利要求2所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：所述薄丝的间距为10～500μm。

7.根据权利要求4所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：各薄丝的厚度相同，均为0.1μm～0.5μm。

8.根据权利要求1所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：所述薄丝包括由下至上依次布置的支撑层、黏附层和敏感层。

9.根据权利要求8所述的声场质点振速敏感结构，其特征在于：所述薄丝的敏感层由金属材料、半导体材料、石墨烯二维材料中的一种、两种或三种材料构成。

10.一种权利要求1至9任何一项所述声场质点振速敏感结构的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：在硅衬底上依次沉积氧化硅和氮化硅支撑层；

步骤2：进行第一次涂胶、光刻和显影，定义出声场质点振速敏感结构的薄丝、电极；

步骤3：依次淀积黏附层和敏感层；

步骤4：剥离光刻胶，以形成所设计的敏感结构；

步骤5：进行第二次涂胶、光刻和显影，定义出声场环境通路所需的桥孔结构；

步骤6：进行干法刻蚀，依次刻蚀去掉没被光刻胶覆盖的支撑层材料，被光刻胶覆盖的支撑层将作为随后进行的深硅湿法腐蚀过程的硬掩蔽层；

步骤7：硅衬底各项异性湿法腐蚀，形成桥孔结构；

步骤8：最后进行划片、引线键合及封装，得到成品。