[发明专利]一种多晶硅制备调控方法及装置

权利要求书

1.一种多晶硅制备调控方法，其特征在于，所述多晶硅制备调控方法包括：

将原料硅粉以及氯化氢合成炉合成的氯化氢送入三氯氢硅合成炉进行三氯氢硅合成；

获取所述三氯氢硅合成炉的副产物中的STC含量、DCS含量以及HCL含量；

基于所述STC含量、所述DCS含量以及所述HCL含量对所述三氯氢硅合成炉的控制参数进行调控，包括：在所述STC含量高于标准值时，基于STC的超出量降低所述三氯氢硅合成炉的温度；在所述DCS含量高于标准值、所述HCL含量正常时，基于DCS的超出量提高所述三氯氢硅合成炉的温度；在所述STC含量高于标准值、所述HCL含量高于标准值时，基于STC的超出量以及HCL的超出量提高所述三氯氢硅合成炉的压差；在所述STC含量低于标准值时，基于STC的差量降低所述三氯氢硅合成炉的压差；

将所述三氯氢硅合成炉生成的三氯氢硅通过汽化器汽化后与氢气混合形成混合气体，将所述混合气体送入还原炉进行还原沉积。

2.根据权利要求1所述的多晶硅制备调控方法，其特征在于，在所述将所述三氯氢硅合成炉生成的三氯氢硅通过汽化器汽化后与氢气混合形成混合气体，将所述混合气体送入还原炉进行还原沉积之后，所述多晶硅制备调控方法还包括：

获取所述还原炉进料量中的DCS含量、还原炉粉尘含量以及还原炉耗电量；

在所述DCS含量低于标准值、所述还原炉粉尘含量高于标准值且所述还原炉耗电量高于标准值时，基于DCS的差量、还原炉粉尘含量的超出量以及还原炉耗电量的超出量调节所述汽化器的温度；

在所述DCS含量正常、所述还原炉耗电量正常且所述还原炉粉尘含量高于标准值时，基于还原炉粉尘的超出量减小所述还原炉的所述混合气体的进料量。

3.根据权利要求1所述的多晶硅制备调控方法，其特征在于，在所述将所述三氯氢硅汽化后与氢气混合形成混合气体，将所述混合气体送入还原炉进行还原沉积之后，所述多晶硅制备调控方法还包括：

获取硅棒的质量增加速度，在所述质量增加速度高于标准值时，基于所述质量增加速度的超出值提高所述硅棒的温度。

4.一种多晶硅制备调控装置，其特征在于，所述多晶硅制备调控装置包括：

三氯氢硅合成模块，用于将原料硅粉以及氯化氢合成炉合成的氯化氢送入三氯氢硅合成炉进行三氯氢硅合成；

第一参数检测模块，用于获取所述三氯氢硅合成炉的副产物中的STC含量、DCS含量以及HCL含量；

第一调控模块，用于在所述STC含量高于标准值时，基于STC的超出量降低所述三氯氢硅合成炉的温度；在所述DCS含量高于标准值、所述HCL含量正常时，基于DCS的超出量提高所述三氯氢硅合成炉的温度；在所述STC含量高于标准值、所述HCL含量高于标准值时，基于STC的超出量以及HCL的超出量提高所述三氯氢硅合成炉的压差；在所述STC含量低于标准值时，基于STC的差量降低所述三氯氢硅合成炉的压差；

还原模块，用于将所述三氯氢硅合成炉生成的三氯氢硅通过汽化器汽化后与氢气混合形成混合气体，将所述混合气体送入还原炉进行还原沉积。

5.根据权利要求4所述的多晶硅制备调控装置，其特征在于，所述多晶硅制备调控装置还包括：

第二参数检测模块，用于获取所述还原炉进料量中的DCS含量、还原炉粉尘含量以及还原炉耗电量；

第二调控模块，用于基于所述DCS含量、所述还原炉粉尘含量以及所述还原炉耗电量对所述还原炉的控制参数进行调控。

6.一种计算机可读取存储介质，其特征在于，所述计算机可读取存储介质中存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被一处理器读取并运行时，执行权利要求1-3任一项所述方法中的步骤。