[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管在审

专利信息
申请号: 201811608498.4 申请日: 2018-12-27
公开(公告)号: CN111384249A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 方良
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管
【权利要求书】:

1.一种复合材料,其特征在于,所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔,所述氮掺杂石墨炔中的氮原子与所述p型金属氧化物纳米颗粒结合。

2.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔中的氮原子以sp-N键取代炔键碳原子的形式掺杂进入石墨炔结构中。

3.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔中,被氮取代的炔键的数量比为10-50%;和/或,

所述p型金属氧化物纳米颗粒与所述氮掺杂石墨炔的质量比为100:(2-10)。

4.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔的粒径为1-10nm;和/或,

所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂石墨炔纳米微球、氮掺杂石墨炔纳米线、氮掺杂石墨炔纳米棒和氮掺杂石墨炔纳米锥中的至少一种;和/或,

所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂α-石墨炔、氮掺杂β-石墨炔、氮掺杂γ-石墨炔、氮掺杂δ-石墨炔和氮掺杂6,6,12-石墨炔中的至少一种;和/或,

所述p型金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、氧化钒纳米颗粒和氧化钨纳米颗粒中的至少一种。

5.一种如权利要求1-4任一项所述的复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供氮掺杂石墨炔和p型金属氧化物;

将所述氮掺杂石墨炔与p型金属氧化物溶于溶剂中,得到前驱体溶液;

将所述前驱体溶液沉积在基底上,得到所述复合材料。

6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔的制备方法包括:将石墨炔置于含有氨气的惰性气氛环境中,进行加热处理,得到所述氮掺杂石墨炔。

7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述加热处理的温度为250-300℃;和/或,

所述加热处理时间为20-40min;和/或,

将石墨炔置于氨气的体积分数为1-5%的惰性气氛环境中,进行所述加热处理。

8.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种;和/或

所述p型金属氧化物选自氧化镍、氧化钼、氧化钒和氧化钨中的至少一种;和/或,

所述石墨炔选自石墨炔纳米微球、石墨炔纳米线、石墨炔纳米棒和石墨炔纳米锥中的至少一种;和/或,

所述石墨炔选自α-石墨炔、β-石墨炔、γ-石墨炔、δ-石墨炔和6,6,12-石墨炔中的至少一种。

9.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层的材料为权利要求1-4任一项所述的复合材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811608498.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top