[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管在审
申请号: | 201811608498.4 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN111384249A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 方良 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 复合材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管 | ||
1.一种复合材料,其特征在于,所述复合材料包括p型金属氧化物纳米颗粒和分散在所述p型金属氧化物纳米颗粒中的氮掺杂石墨炔,所述氮掺杂石墨炔中的氮原子与所述p型金属氧化物纳米颗粒结合。
2.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔中的氮原子以sp-N键取代炔键碳原子的形式掺杂进入石墨炔结构中。
3.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔中,被氮取代的炔键的数量比为10-50%;和/或,
所述p型金属氧化物纳米颗粒与所述氮掺杂石墨炔的质量比为100:(2-10)。
4.如权利要求1所述的复合材料,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔的粒径为1-10nm;和/或,
所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂石墨炔纳米微球、氮掺杂石墨炔纳米线、氮掺杂石墨炔纳米棒和氮掺杂石墨炔纳米锥中的至少一种;和/或,
所述氮掺杂石墨炔选自氮掺杂α-石墨炔、氮掺杂β-石墨炔、氮掺杂γ-石墨炔、氮掺杂δ-石墨炔和氮掺杂6,6,12-石墨炔中的至少一种;和/或,
所述p型金属氧化物纳米颗粒选自氧化镍纳米颗粒、氧化钼纳米颗粒、氧化钒纳米颗粒和氧化钨纳米颗粒中的至少一种。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供氮掺杂石墨炔和p型金属氧化物;
将所述氮掺杂石墨炔与p型金属氧化物溶于溶剂中,得到前驱体溶液;
将所述前驱体溶液沉积在基底上,得到所述复合材料。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述氮掺杂石墨炔的制备方法包括:将石墨炔置于含有氨气的惰性气氛环境中,进行加热处理,得到所述氮掺杂石墨炔。
7.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述加热处理的温度为250-300℃;和/或,
所述加热处理时间为20-40min;和/或,
将石墨炔置于氨气的体积分数为1-5%的惰性气氛环境中,进行所述加热处理。
8.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂选自异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇和己醇中的至少一种;和/或
所述p型金属氧化物选自氧化镍、氧化钼、氧化钒和氧化钨中的至少一种;和/或,
所述石墨炔选自石墨炔纳米微球、石墨炔纳米线、石墨炔纳米棒和石墨炔纳米锥中的至少一种;和/或,
所述石墨炔选自α-石墨炔、β-石墨炔、γ-石墨炔、δ-石墨炔和6,6,12-石墨炔中的至少一种。
9.一种量子点发光二极管,包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层,所述阳极和所述量子点发光层之间还设置有空穴传输层,其特征在于,所述空穴传输层的材料为权利要求1-4任一项所述的复合材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司,未经TCL集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811608498.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种探棒固定装置
- 下一篇:三次多项式S曲线加减速的加加速度递归计算限制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择