[发明专利]具有图形的光罩的制造方法

说明书

本发明提供具有图形的光罩的制造方法，包括：提供设计图形和标准测试图形；采用测试电子束光刻工艺写入所述标准测试图形，生成测试光罩，获取所述测试光罩中的测试图形与标准测试图形之间的位置偏差量；采用实际电子束光刻工艺写入所述设计图形，生成具有图形的光罩，且在所述实际电子束光刻工艺过程中，基于获取的所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿，以抵消所述实际电子束光刻工艺中的反射电子对电子束位置造成的电子束位置偏移量。本发明提高了光罩中的图形位置精确度和形貌精确度，改善了形成的光罩的质量。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种具有图形的光罩的制造方法。

背景技术

随着半导体制造工艺的发展，半导体芯片的面积越来越小，因此半导体工艺的精度也变得更加重要。在半导体制造工艺中，其中一个重要的工艺就是光刻，光刻是将掩膜版上的图案转移到半导体上的光刻图案的工艺过程。

在集成电路制造领域，光刻技术被用来将图案从包含电路设计信息的掩膜版上转移到晶圆(wafer)上，其中的掩膜版(mask)，也称为光刻版或者光罩。光罩是一种对于曝光光线具有透光性的平板，其上具有对于曝光光线具有遮光性的至少一个几何图形，所述几何图形为设计图形，可实现有选择的遮挡照射到晶片表面光刻胶上的光，并最终在晶圆表面的光刻胶上形成相应的图案。

然而，现有技术制作的光罩图形精确度有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种具有图形的光罩的制造方法，提高光罩中图形的位置精确度和形貌精确度，改善形成的光罩质量。

为解决上述问题，本发明提供一种具有图形的光罩的制造方法，包括：提供设计图形和标准测试图形；采用测试电子束光刻工艺写入所述标准测试图形，生成测试光罩，获取所述测试光罩中的测试图形与标准测试图形之间的位置偏差量；采用实际电子束光刻工艺写入所述设计图形，生成具有图形的光罩，且在所述实际电子束光刻工艺过程中，基于获取的所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿。

与现有技术相比，本发明提供的技术方案具有以下优点：

本发明提供的具有图形的光罩的制造方法的技术方案中，采用测试电子束光刻工艺写入标准测试图形，生成测试光罩，获取所述测试光罩中的测试图形与所述标准测试图形之间的位置偏差量，所述位置偏差量表征反射电子对电子束位置的影响；采用实际电子束光刻工艺写入设计图形，生成具有图形的光罩，且在所述实际电子束光刻工艺过程中，基于获取的所述位置偏差量对所述设计图形进行补偿，以抵消或减小实际电子束光刻工艺中的反射电子对电子束位置造成的电子束位置偏移量。因此，本发明实施例中，在所述实际电子束光刻工艺中，考量了反射电子对电子束位置的影响并预先对设计图形进行补偿，使得所述实际电子束光刻工艺中实际写入的图形为补偿后的设计图形，因此所述补偿的量与反射电子对电子束位置的影响正好互补抵消，从而提高形成的光罩中的图形位置精确度和形貌精确度，改善形成的光罩质量。

可选的，为了提高获取的位置偏差量与实际电子束光刻工艺中的电子束影响的一致性，所述测试电子束光刻工艺的工艺参数与所述实际电子束光刻工艺的工艺参数相同。

附图说明

图1及图2为一种光罩制造过程的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的具有图形的光罩的制造方法的流程示意图；

图4为本发明实施例提供的标准测试图形的示意图；

图5至图7为本发明实施例提供的形成具有图形的光罩的各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，现有技术制作的光罩图形精确度有待提高。