[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201811608248.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN111384225B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 赖隆宽;陈冠志;张国彦;林峻弘;梁建钦 | 申请(专利权)人: | 隆达电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/60 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,包括:
一基板;
多个半导体固态光源,设置于该基板上;
一导光层,直接地覆盖所述多个半导体固态光源与该基板,该导光层具有一粗糙化上表面,其中该粗糙化上表面具有凹凸微结构;
多个亮度调整结构,设置于该导光层上,其中各该亮度调整结构分别位于各该半导体固态光源上方,用以调整各该半导体固态光源所发出的光亮度所述多个亮度调整结构包括一第一树脂材料层,其中多个第一散射粒子分散于该第一树脂材料层中;
一底部反射层,设置于该基板之上;以及
多个底部散射结构,设置于该底部反射层上或嵌置于该底部反射层中,所述多个底部散射结构包括一第三树脂材料层,且多个第三散射粒子分散于该第三树脂材料层中,所述多个底部散射结构中,接近各该半导体固态光源的所述底部散射结构的尺寸小于远离各该半导体固态光源的所述底部散射结构的尺寸。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该导光层的该粗糙化上表面具有0.08~2微米的一算术平均粗糙度。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个亮度调整结构的透光率为40%~70%。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个第一散射粒子包含TiO2。
5.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个亮度调整结构还包括一第二树脂材料层,该第二树脂材料层围绕该第一树脂材料层,且多个第二散射粒子分散于该第二树脂材料层中。
6.根据权利要求5所述的发光装置,其特征在于,所述多个第一散射粒子包含TiO2,且所述多个第二散射粒子包含SiO2。
7.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
多个抗串扰结构,设置于该基板之上,且各该抗串扰结构位于所述多个半导体固态光源之间。
8.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,各该亮度调整结构的一面积大于各该半导体固态光源的一出光面积。
9.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,相邻的两个所述半导体固态光源之间的一距离为D1,其满足下式:
其中L1为所述半导体固态光源的一长度。
10.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包括:
多个透光盖,设置于该导光层上,且所述多个透光盖具有低于该导光层的一第一折射率的一第二折射率,其中各该透光盖分别覆盖各该亮度调整结构。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其特征在于,所述多个透光盖的一剖面形状为矩形、半圆形或半椭圆形。
12.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个亮度调整结构的一剖面形状为矩形。
13.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该导光层具有至少两个侧表面分别与该基板的两个侧表面共平面。
14.根据权利要求13所述的发光装置,其特征在于,该导光层的该至少两个侧表面为光滑的,且不具有凹凸微结构。
15.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该基板为一矩形基板。
16.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该导光层包括硅氧树脂、环氧树脂或压克力胶。
17.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,所述多个半导体固态光源为多个发光二极管晶片或多个发光二极管封装件或多个晶片级封装发光二极管(CSP LED)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于隆达电子股份有限公司,未经隆达电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811608248.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具备太阳能蓄电的充电宝
- 下一篇:具有图形的光罩的制造方法