[发明专利]一种梨密植高光效树形及其整形修剪方法

权利要求书

1.一种梨密植高光效树形，其特征在于，包括两棵植株中心干，两个所述中心干向相反方形延伸并固定，以形成X型双主干，且两个所述中心干在地面上的横向水平间距为25-35cm，同行相邻所述X型双主干的距离为0.8-1.2m。

2.根据权利要求1所述的梨密植高光效树形，其特征在于，两个所述中心干在地面上的纵向竖直间距为25-35cm。

3.一种梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：定植；确定定植点，所述定植点间的距离为0.8-1.2m，以所述定植点为中心种植2棵植株，2棵植株呈对角线分布，且两个所述植株在地面上的横向水平间距为25-35cm；

S2：立架拉线；焊接整形立架，并进行拉线处理，每行植株中设多个所述立架；

S3：培养强壮中心干；若苗木达到一级苗的要求，在当年进行刻芽；若苗木质量一般或者较差，对所述中心干留芽并进行重短截，以培养强壮中心干；

S4：刻芽促分枝；对所述强壮中心干进行刻芽，疏除基部粗壮的分枝，其余分枝保留；

S5：上架；将两棵植株的中心干交叉固定于所述立架及拉线上，以形成X型双主干，并通过挂扣或绑带固定；

S6：修剪；疏除背上枝或者抹芽以实现所述X型双主干的整形修剪，冬季以疏除背上枝、直立枝为主，每年疏除基部粗度大于主干粗度1/2的分枝1～2个，采用平剪口修剪方式，培养新的结果枝。

4.根据权利要求3所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，在步骤S5与步骤S6之间还包括步骤S5-1：开角拉枝；对于生长旺盛的树体，打开其枝条与主干基角，进行拉枝处理，以促进成花。

5.根据权利要求3所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，在步骤S4中，刻芽位置在芽体上方0.5-1.0cm处，刻芽深度深达木质部，刻芽部位为：对除中心干70cm以下，距离中心干顶端30cm外的所有芽体均进行刻芽。

6.根据权利要求3所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，所述X型双主干的两棵中心干均通过竹竿或直立竿绑缚定型，每行间隔12.0-15.0m设置所述立架固定。

7.根据权利要求3所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，在步骤S2中，所述立架包括固定连接的V型固定杆、直立杆和固定桩，所述V型固定杆设置于所述直立杆的上端，所述V型固定杆由两根斜向杆固定连接而成。

8.根据权利要求7所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，所述V型固定杆上还设置有横梁，所述横梁焊接于所述V型固定架的两根斜向杆之间，以稳固立架结构。

9.根据权利要求7所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，两根所述斜向杆的长度为3.0m-3.5m，且所述斜向杆与水平面的夹角为60°。

10.根据权利要求7所述的梨密植高光效树形的整形修剪方法，其特征在于，所述立架还包括撑杆，所述撑杆的数量为两个，两个所述撑杆的两端连接所述斜向杆和地面，且在地面上固定以加固所述立架。