[发明专利]一种提升栅氧厚度均匀性的方法

权利要求书

1.一种提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于，该方法至少包括：

步骤一、提供一晶圆，所述晶圆上分布有多个栅氧膜量测位置；

步骤二、以所述晶圆的圆心为极点建立极坐标系，将所述晶圆表面划分为多个区域，每个区域对应所述极坐标的一个半径值；每个区域分布有至少一个所述栅氧膜量测位置；

步骤三、提供用于加热晶圆的卤素灯及多个控温探针；得到每个控温探针对应所述极坐标的半径值，并根据其半径值得到每个控温探针所对应的区域；

步骤四、提供标准厚度，并得到所述标准厚度下栅氧膜所需要的温度值，对每个栅氧膜量测位置进行膜厚量测并计算每个区域对应的栅氧膜平均厚度，然后计算与每个区域对应的栅氧膜需要调节的温度值。

2.根据权利要求1所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：步骤一中所述晶圆为具有半导体器件的晶圆，所述栅氧膜是所述半导体器件的一部分。

3.根据权利要求1所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：步骤一中所述栅氧膜量测位置为63个。

4.根据权利要求1所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：步骤二中的所述多个区域的个数为19个，分别为第一区域至第十九区域。

5.根据权利要求4所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：所述步骤二中极坐标的半径值分别为：0mm、25.9mm、32.9mm、41.87mm、51.8mm、61.36mm、65.8mm、70.7mm、77.7mm、84.4mm、98.7mm、101.8mm、103.6mm、108.7mm、111.5mm、122.7mm、125.7mm、129.5mm、131.6mm。

6.根据权利要求5所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：所述19个区域中一共有63个点，其中第一区域对应一个点；第二、第三、第五、第七、第九、第十一、第十四、第十八、第十九区域分别对应两个点；第四、第六、第八、第十三、第十五、第十六、第十七区域分别对应四个点；第十、第十二区域分别对应八个点，其中每个区域中的一个点代表一个栅氧膜量测位置。

7.根据权利要求1所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：所述步骤三中的卤素灯包含有二维点光源阵列，用所述卤素灯加热所述晶圆时，所述点二维光源阵列投射于整个晶圆。

8.根据权利要求所7述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：所述步骤三中控温探针的个数为七个，分别为第一至第七控温探针。

9.根据权利要求8所述的提升栅氧厚度均匀性的方法，其特征在于：所述第一至第七控温探针对应的半径值分别依次为16.6mm、24.3mm、64.5mm、81.3mm、106.6mm、134.4mm、141.4mm。