[发明专利]晶圆缺陷光学照片实时采集系统及采集方法在审
申请号: | 201811607199.9 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN109698139A | 公开(公告)日: | 2019-04-30 |
发明(设计)人: | 胡向华;欧阳余庆;何广智;顾晓芳;倪棋梁;龙吟;陈宏璘 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆缺陷 扫描机台 晶圆 光学图像采集系统 实时采集系统 分析系统 光学照片 缺陷数据 采集 光学图像信息 实时数据交换 拍照功能 扫描检测 扫描系统 实时分析 实时光学 系统控制 制造工艺 可控 内嵌 种晶 扫描 反馈 检测 | ||
本发明公开了一种晶圆缺陷光学照片实时采集系统,所述系统为晶圆缺陷扫描机台,用于对晶圆在制造工艺中产生的各种缺陷进行扫描检测;缺陷数据分析系统,所述缺陷数据分析系统内嵌到所述晶圆缺陷扫描机台,能与晶圆缺陷扫描系统进行实时数据交换;光学图像采集系统,所述光学图像采集系统由晶圆缺陷系统控制,对当前检测中的晶圆进行光学图像信息的采集。本发明实现对扫描晶圆结果进行实时分析判断,并反馈给扫描机台进行光学拍照功能的可控操作,达到异常制品的实时光学照片收集,利于紧急问题的及时处置。
技术领域
本发明涉及半导体器件制造领域,特别是指一种集成电路制造工艺中,晶圆缺陷扫描过程中晶圆缺陷光学照片实时采集系统。
本发明还涉及所述晶圆缺陷光学照片的实时采集方法。
背景技术
随着半导体制造技术尺寸的不断缩小,制造工艺也越来越复杂,晶圆的制造和封装是个涉及几百步工艺的相当长而复杂的过程,这些步骤绝不可能每次都完美进行,污染和材料的变化将结合到工艺中造成晶圆的缺陷损失。维持及提高工艺和产品的良品率对半导体工业至关重要。在晶圆制造工艺中,缺陷已成为制约良率提升的关键。晶圆的缺陷包含很多种,比如短路、断路、杂质沾污等。通常,工厂将在工艺的三个主要点监测,分别是晶圆制造工艺完成时、晶圆中测后和封装完成时进行终测。
半导体芯片制造由于工艺复杂、生产成本高昂,且随着技术节点的不断下降,对缺陷的敏感性也越来越高;在众多工艺中,由于缺陷而出现制品异常的情况时常出现,要求工程师在处置问题时要快速、高效、及时,那么工程师第一时间拿到缺陷数据成为关键。
目前缺陷扫描机台在抽检制品的过程中,仅仅是扫描晶圆并将缺陷报告提供给制造执行系统,制造执行系统对缺陷报告进行判断后,异常制品再经电子扫描机台进行缺陷类型分析后,工程师才能做出判断。对于严重的问题,这样模式无法满足时效性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种晶圆缺陷光学照片实时采集系统,能实时采集晶圆的缺陷图像供工程师分析。
本发明所要解决的另一技术问题在于提供所述晶圆缺陷光学照片实时采集系统的采集方法。
为解决上述问题,本发明提供一种晶圆缺陷光学照片实时采集系统,所述系统为晶圆缺陷扫描机台,用于对晶圆在制造工艺中产生的各种缺陷进行扫描检测;
缺陷数据分析系统,所述缺陷数据分析系统内嵌到所述晶圆缺陷扫描机台,能与晶圆缺陷扫描系统进行实时数据交换;
光学图像采集系统,所述光学图像采集系统由晶圆缺陷系统控制,对当前检测中的晶圆进行光学图像信息的采集。
进一步的改进是,所述的晶圆缺陷扫描机台,采用暗场扫描,或明场扫描,或电子扫描方式对目标晶圆进行扫描,当捕获到缺陷时,获取缺陷的坐标位置数据。
进一步的改进是,所述的缺陷数据分析系统,能从晶圆扫描机台实时获取扫描到的晶圆缺陷数据,对产生的缺陷数据进行实时分析判断,并能将分析判断的结果实时反馈到晶圆缺陷扫描机台,供晶圆缺陷扫描机台做进一步的处理。
进一步的改进是,所述的光学图像采集系统,能在晶圆缺陷扫描系统的控制下,对晶圆缺陷进行实时光学图像信息的采集;当晶圆缺陷系统发出拍照指令时,光学图像采集系统对当前检测中的晶圆进行拍照,并将图像数据发送至晶圆缺陷扫描机台。
进一步的改进是,所述光学图像采集系统,为光学显微镜或者高分辨率相机,能将缺陷进行图像采集并将该图像传输到晶圆缺陷扫描机台。
为解决上述问题,本发明提供一种晶圆缺陷光学照片实时采集系统的采集方法,所述的晶圆缺陷光学照片实时采集系统包含晶圆缺陷扫描机台、缺陷数据分析系统以及光学图像采集系统;
所述晶圆缺陷扫描机台,能对晶圆缺陷进行扫描;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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