[发明专利]一种高压高比容腐蚀箔的制造方法

权利要求书

1.一种高压高比容腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1. 预处理：将电子光箔进行预处理去除表面杂质；

S2. 一级发孔：将预处理光箔进行一级发孔，施加电流为交直流电叠加，其中直流电密度为0.6~0.8A/cm²，交流电密度为0.01~0.1A/cm²，交流频率为1000~2000Hz；

S3. 中处理：将一级发孔腐蚀箔置于一级发孔相同的溶液中浸泡，浸泡温度80-95℃，浸泡时间10-25s；

S4. 二级发孔：将中处理光箔在变电场中进行二级发孔，初始电流为1.2~1.7A/cm²，5s内均匀下降至0.9A/cm²，10~15s内均匀下降至0.40A/cm²，15~20s内均匀下降至0；

S5. 扩孔腐蚀：将上述二级发孔腐蚀箔进行扩孔腐蚀至平均孔径≥1μm；

S6. 后处理：将上述扩孔腐蚀箔经过后处理清洗杂质，洗净制备得到高压高比容腐蚀箔，

其中所述S1中电子光箔为纯度≥99.99%，厚度为110~135μm的软态电子铝箔。

2.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述一级发孔的电解液为质量百分比25~35%的H₂SO₄、2~4% 的HCl、 1~10%的H₃PO₄ 和0.5~1.5% 的Al³⁺的混合溶液。

3.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S2中所述一级发孔发孔至孔径大小为0.45~0.52μm。

4.如权利要求1所述制备方法，其特征在于，S4中所述二级发孔发孔至孔径大小为0.53~0.60μm。

5.如权利要求3所述制备方法，其特征在于，S2中所述一级发孔的加电温度为68~75℃，加电时间为30~40s。

6.如权利要求1~5任意一项所述制备方法，其特征在于，所述一级发孔和二级发孔的电解液循环流动，循环量≥200L/min，流速≥3cm/s。

7.如权利要求1~5任意一项所述制备方法，其特征在于，S5中所述扩孔腐蚀的扩孔液为5~10%的硝酸，扩孔电流密度0.15~0.25A/cm²，扩孔温度70~75℃，扩孔时间6~10min。

8.如权利要求1~5任意一项所述制备方法，其特征在于，S6中所述后处理溶液为5~10%的硝酸溶液，处理时间2~3min，处理温度60~70℃。

9.如权利要求1~5任意一项所述制备方法，其特征在于，S1中所述预处理的预处理液为2~5%的H₃PO₄和/或5~10%的HCl和/或含0~100ppm的醋酸铅溶液。