[发明专利]一种光伏电池接触结构以及制造方法在审
| 申请号： | 201811603014.7 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN109713051A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 朱佳佳;郑沛霆;杨洁;孙海杰;王钊;郭瑶;於玲琳;朱思敏 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浆料层 烧穿性 硅片 光伏电池 接触结构 半导体结构 钝化层 位置处 预定点 制造 金属接触结构 单晶硅 穿过 金属 正面钝化层 表面印刷 浆料印刷 接触电阻 结构保证 双层浆料 烧结 低损伤 点接触 多晶硅 线接触 电池 复合 印刷 | ||
1.一种光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，包括：
步骤1，在硅片主体的正面钝化层上印刷正面烧穿性浆料层，所述正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过所述钝化层与所述硅片主体连接；
步骤2，在所述正面烧穿性浆料层的表面印刷正面非烧穿性浆料层；
步骤3，对所述硅片主体进行烧结。
2.如权利要求1所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料的厚度为80nm～100nm。
3.如权利要求2所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，在所述步骤1之前，还包括：
在所述硅片主体的背面印刷背面浆料层。
4.如权利要求3所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料层的厚度为6μm～10μm。
5.如权利要求4所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述正面烧穿性浆料层、所述正面非烧穿性浆料层为银浆料层。
6.如权利要求5所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述背面浆料层为Ag/Al浆料层。
7.如权利要求6所述光伏电池接触结构制造方法，其特征在于，所述背面浆料层的厚度为10μm～20μm。。
8.一种光伏电池接触结构，其特征在于，包括在硅片主体的正面向上依次设置的正面钝化层、正面烧穿性浆料层、正面非烧穿性浆料层以及在所述硅片主体的背面依次向下设置的背面钝化层、背面浆料层，所述正面烧穿性浆料层的预定点位置处穿过所述正面钝化层与所述硅片主体连接。
9.如权利要求8所述光伏电池接触结构，其特征在于，所述正面烧穿性浆料的厚度为80nm～100nm。
10.如权利要求9所述光伏电池接触结构，其特征在于，所述正面烧穿性浆料层、所述正面非烧穿性浆料层为银浆料层。
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