[发明专利]显示阵列的制造方法

说明书

本发明公开一种显示阵列的制造方法，其包括下列步骤：提供一基板，且在基板上形成一半导体堆叠层；形成一绝缘层以及多个电极垫于半导体堆叠层的一外表面并与该半导体堆叠层接触，其中绝缘层具有多个开口，且电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开；以及将半导体堆叠层、绝缘层及电极垫由基板转移配置在一驱动背板上，其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及该驱动背板电连接以在半导体堆叠层形成多个发光区域。

技术领域

本发明涉及一种半导体结构的制造方法，且特别是涉及一种显示阵列的制造方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)具有诸如寿命长、体积小、高抗震性、低热产生及低功率消耗等优点，在目前也已被应用于平板及小型尺寸的显示器。近年来，微型发光二极管已朝多色彩及高亮度发展，因此，在未来的科技应用上，将会有更多的应用领域及层面，甚至能取代目前一般常见的发光二极管。

然而在目前的技术中，缩小管芯尺寸将面临两个主要的困难点。其中一者为在发光的效率上，由于微型发光二极管的尺寸为微米级，故相较于一般尺寸的发光二极管而言，管芯边缘所带来的发光效率衰退将占整体发光效率的大半比例以上。此外，其中另一者为，在上述微型发光二极管阵列的制作工艺中，除了需事先对管芯切割或图案化以定义出不同的发光平台之外，还需进行共电极、平坦化及巨量转移等制作工艺，使得制作工艺不但复杂且成本居高不下。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示阵列的制造方法，可增加发光效率并降低制作工艺难度。

本发明提供一种显示阵列的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，且在基板上形成一半导体堆叠层；形成一绝缘层以及多个电极垫于半导体堆叠层的一外表面并与半导体堆叠层接触，其中绝缘层具有多个开口，且电极垫位于绝缘层的开口中且被绝缘层隔开；以及将半导体堆叠层、绝缘层及电极垫由基板转移配置在一驱动背板上，其中电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层及驱动背板电连接以在半导体堆叠层形成多个发光区域，且在半导体堆叠层中相邻的发光区域间未经图案化。

基于上述，在本发明的显示阵列的制造方法中，在基板上形成半导体堆叠层、绝缘层以及多个电极垫，且绝缘层具有多个开口，以使电极垫位于绝缘层的开口中被绝缘层隔开，进而使电极垫分别经过绝缘层的开口与部分的半导体堆叠层电连接以在半导体堆叠层形成彼此电性隔离的多个发光区域。因此，相较于传统的作法，可简化制作工艺程序及制作难度，并解决传统管芯经蚀刻而产生边界发光效率衰退的问题。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1G依序为本发明一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；

图2为图1G的显示阵列的俯视示意图；

图3为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图4为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图5为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图6为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图7A至图7F依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；

图8为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图9为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图10为本发明另一实施例的显示阵列的剖面示意图；

图11A至图11C依序为本发明另一实施例的显示阵列的制造方法的剖面示意图；