[发明专利]一种薄膜沉积工艺控制系统及方法

权利要求书

1.一种薄膜沉积工艺控制系统，用于薄膜沉积装置对薄膜沉积速率进行测试及工艺控制，所述薄膜沉积装置包括激光器、真空腔，靶材模块以及基片加热组件，其特征在于，所述测试系统包括：厚度测试模块以及与所述厚度测试模块信号连接的计算机设备；

所述厚度测试模块包括设置在所述真空腔内的晶振测试组件以及与所述晶振测试组件传动连接的水平驱动装置，所述水平驱动装置用于驱动所述晶振测试组件在所述真空腔内预设的测试网格中水平移动，所述晶振测试组件用于测试所述测试网格中每个网格点的薄膜生长厚度，所述测试网格位于薄膜生长平面上；

所述计算机设备根据所述晶振测试组件获取的薄膜生长厚度计算所述测试网格中每个网格点的薄膜生长速率，并根据所述每个网格点的薄膜生长速率模拟生成薄膜生长速率分布图。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述晶振测试组件包括：设置在所述水平驱动装置末端的晶振固定台、设置在所述晶振固定台内的冷却装置以及晶振单元组。

3.根据权利要求2所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述水平驱动装置包括：水平驱动电机以及设置在所述水平驱动电机上的水平连接杆，所述水平连接杆末端固定连接在所述晶振固定台一侧上，所述水平连接杆内一端设置所述冷却装置。

4.根据权利要求3所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述晶振单元组包括多个并列设置在所述晶振固定台底部的多个晶振单元。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述多个晶振单元为并列固定设置在所述晶振固定台底部的六个晶振单元。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述晶振固定台底部与水平面保持平行，且与所述薄膜长生平面处在同一平面上。

7.根据权利要求1所述的薄膜沉积工艺控制系统，其特征在于，所述靶材模块还包括：靶材切换装置，用于标准靶材以及镀膜靶材之间的切换。

8.一种如权利要求1所述薄膜沉积工艺控制系统的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

S100：根据预设的测试条件准备靶材材料；

S101：水平移动设置在真空腔内的厚度测试模块，使得所述厚度测试模块停在薄膜生长平面的测试网格第N列的位置上，其中，所述N≥1；

S102：打开激光器，溅射制备薄膜，在预设的发射时间截止后，停止发射激光，通过晶振测试结果，计算出所述薄膜在第N列生长平面网格点位置的生长速率；

S103：重复所述步骤S101及所述步骤S102，获取所有网格点位置的生长速率；

S104：通过所述计算机设备模拟得到二维空间的镀膜速率分布图，根据所述镀膜速率分部图，判断是否异常。

9.根据权利要求8所述的测试方法，其特征在于，还包括校准所述厚度测试模块。

10.根据权利要求9所述的测试方法，其特征在于，所述预设的测试网格为6×6网格，所述所述测试网格从第一列到第六列进行测试。