[发明专利]一种高对比度的有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种高对比度的有机电致发光器件，其特征在于，包括由内向外依次设置的金属电极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、ITO基板和光学薄膜；

所述金属电极为阴极，用于产生电子；所述电子注入层用于使所述电子从所述金属电极注入所述电子传输层；所述电子传输层用于使所述电子传输至所述发光层；所述发光层为所述电子和空穴的复合区，用于载流子的复合发光；所述空穴传输层用于使所述空穴传输至所述发光层；所述空穴注入层用于使所述空穴从所述金属电极注入所述空穴传输层；所述ITO基板为基板，用于蒸镀所述光学薄膜；所述光学薄膜设置与所述发光层相同的发光材料，用于吸收小于所述发光层发出光的波长的可见光；所述光学薄膜的厚度为200～400nm，所述光学薄膜的厚度不能过厚否则会挡光，也不能过薄否则起不到良好的效果，在厚度为200～400nm时，所述光学薄膜能够在保证器件发出光具有高透过率的基础上，较好的吸收外界环境光中除器件发出光以外的其他干扰光，同时透过外界环境光中与器件发出光相同的可见光，可以有效的加大器件发出光的对比度，保证器件的高对比度发光。

2.根据权利要求1所述的高对比度的有机电致发光器件，其特征在于，所述光学薄膜的材料包括DCJTB。

3.根据权利要求1所述的高对比度的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层、所述电子传输层、所述发光层、所述空穴传输层和所述空穴注入层的厚度均为10～40nm；所述电子注入层的材料包括8-羟基喹啉-锂；所述电子传输层的材料包括8-羟基喹啉铝；所述发光层的材料包括DCJTB；所述空穴传输层的材料包括8-羟基喹啉铝；所述空穴注入层的材料包括有机半导体NPB。

4.根据权利要求1所述的高对比度的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属电极的厚度为100～200nm，所述金属电极的材料包括铝。

5.一种应用于权利要求1所述的高对比度的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

清洗ITO基板；

在清洗后的ITO基板的一面蒸镀光学薄膜，得到蒸镀有光学薄膜的ITO基板；所述光学薄膜的厚度为200～400nm，所述光学薄膜的厚度不能过厚否则会挡光，也不能过薄否则起不到良好的效果，在厚度为200～400nm时，所述光学薄膜能够在保证器件发出光具有高透过率的基础上，较好的吸收外界环境光中除器件发出光以外的其他干扰光，同时透过外界环境光中与器件发出光相同的可见光，可以有效的加大器件发出光的对比度，保证器件的高对比度发光；

在所述蒸镀有光学薄膜的ITO基板的未蒸镀面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属电极，得到高对比度的有机电致发光器件。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述清洗ITO基板，具体包括：

将所述ITO基板加入洗洁精50～100ml和去离子水，超声清洗80～100min；

将所述ITO基板用纯的去离子水继续超声清洗80～100min；

将所述ITO基板用丙酮继续超声清洗80～100min；

将所述ITO基板用异丙醇继续超声清洗80～100min，得到清洗后的ITO基板。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在清洗后的ITO基板的一面蒸镀光学薄膜，得到蒸镀有光学薄膜的ITO基板，具体包括：

对清洗后的ITO基板用烤灯烘烤8～12min，将烤干后的ITO基板的一面和光学薄膜依次放入真空蒸镀仪中；

对所述真空蒸镀仪抽真空，直到所述真空蒸镀仪内的真空度降低到10^-5～10^-9mbar；

开始加热光学薄膜直至达到所述光学薄膜的材料蒸发温度；

开始蒸镀，利用所述真空蒸镀仪的晶振控制所述光学薄膜的材料的蒸发速率和厚度，所述光学薄膜的材料的蒸发速率为0.1～0.2nm/s，蒸发厚度为200～400nm，得到蒸镀有光学薄膜的ITO基板。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在所述蒸镀有光学薄膜的ITO基板的未蒸镀面依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属电极，得到高对比度的有机电致发光器件，具体包括：

将所述蒸镀有光学薄膜的ITO基板的未蒸镀面放入真空蒸镀仪中，并依次放入空穴注入层的材料、空穴传输层的材料、发光层的材料、电子传输层的材料和电子注入层的材料以及金属电极的材料；

对所述真空蒸镀仪抽真空，直到所述真空蒸镀仪内的真空度降低到10^-5～10^-9mbar；

加热所述空穴注入层的材料至蒸发温度，并蒸镀所述空穴注入层的材料；加热所述空穴传输层的材料至蒸发温度，并蒸镀所述空穴传输层的材料；加热所述发光层的材料至蒸发温度，并蒸镀所述发光层的材料；加热所述电子传输层的材料至蒸发温度，并蒸镀所述电子传输层的材料；加热所述电子注入层的材料至蒸发温度，并蒸镀所述电子注入层的材料；通过真空蒸镀仪的晶振控制所述空穴注入层的材料、所述空穴传输层的材料、所述发光层的材料、所述电子传输层的材料和所述电子注入层的材料的蒸发速率和厚度；所述空穴注入层的材料、所述空穴传输层的材料、所述发光层的材料、所述电子传输层的材料和所述电子注入层的材料的蒸发速率均为0.06～0.12nm/s，所述空穴注入层的材料、所述空穴传输层的材料、所述发光层的材料和所述电子传输层的材料的蒸发厚度均为10～40nm，所述电子注入层的材料的蒸发厚度为1～5nm；

继续加热并蒸镀所述金属电极的材料，通过真空蒸镀仪的晶振控制所述金属电极的材料的蒸发速率和厚度，所述金属电极的材料的蒸发速率为0.5～2nm/s，蒸发厚度为100～200nm，得到高对比度的有机电致发光器件。