[发明专利]一种电磁屏蔽玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1利用激光微增材制造技术在玻璃表面制作出导电屏蔽图案或导电屏蔽薄膜；

S2利用激光焊接技术将上述带有导电屏蔽图案或导电屏蔽薄膜的玻璃，与另外有或无导电屏蔽图案或导电屏蔽薄膜的玻璃焊接在一起，该另外的有导电屏蔽图案或导电屏蔽薄膜的玻璃同样采用步骤S1制备，以此得到所需的电磁屏蔽玻璃。

2.如权利要求1所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的玻璃为有机透明材料或无机透明材料；所述导电屏蔽图案或导电屏蔽薄膜由导电金属材料、导电合金材料、ITO导电材料或FTO导电材料制成，厚度为50nm-100μm。

3.如权利要求1所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的玻璃为平面或三维曲面。

4.如权利要求1所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述步骤S1中的激光微增材制造技术为激光微熔覆技术、激光诱导等离子体沉积技术或激光诱导前置转移技术。

5.如权利要求4所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述激光微熔覆技术所用激光参数为：采用连续光纤激光，波长为1064nm，激光功率为0.1W-1000W，激光扫描速率为0.01mm-100mm/s，激光光斑直径为5μm-10mm，激光扫描间距为0.01μm-15mm。

6.如权利要求4所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述激光诱导等离子体沉积技术所用激光参数为：激光功率为0.1W-1000W，激光扫描速率为0.01mm-5000mm/s，激光光斑直径为1μm-10mm，激光扫描间距为0.01μm-15mm。

7.如权利要求4所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述激光诱导前置转移技术所用激光参数为：激光功率为0.1W-1000W，激光扫描速率为0.01mm-5000mm/s，激光光斑直径为1μm-10mm，激光扫描间距为0.01μm-15mm。

8.如权利要求1所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的激光焊接技术在环境气体中实现以使焊接后的导电屏蔽图案或薄膜处于环境气体中，或者激光焊接技术在真空中实现以使焊接后的导电屏蔽图案或薄膜处于真空中。

9.如权利要求1所述的电磁屏蔽玻璃制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的激光焊接参数为：激光脉冲宽度为皮秒或纳秒级别，激光功率为0.1W-1000W，激光扫描速率为0.01mm-5000mm/s，激光光斑直径为1μm-10mm，激光扫描间距为0.01μm-15mm。

10.一种电磁屏蔽玻璃，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备。