[发明专利]宽带低轴比圆极化天线

权利要求书

1.一种宽带低轴比圆极化天线，其特征在于，包括从上到下依次设置的：

第一层结构，包括一对介质带条（1）以及环绕所述一对介质带条（1）设置的矩形金属框（2），所述一对介质带条（1）的摆放方向一致且相互隔开；

第二层结构，包括开设有第一金属化通孔阵列（7）的第一介质基板（3）；

第三层结构，包括开设有耦合缝隙（9）的第一金属地（4），所述耦合缝隙（9）的延伸方向与所述一对介质带条（1）的摆放方向形成一预设夹角；

第四层结构，包括开设有第二金属化通孔阵列（8）的第二介质基板（5）；

第五层结构，包括第二金属地（6）；

其中，所述一对介质带条（1）及第一介质基板（3）构成介质谐振器天线，第三至第五层结构构成了一个基片集成波导缝隙耦合馈电结构，能量从其一端进入后通过耦合缝隙（9）将微波信号耦合给所述介质谐振器天线，所述第一金属化通孔阵列（7）及金属框（2）构成背腔结构以提高天线的辐射增益。

2.根据权利要求1所述的宽带低轴比圆极化天线，其特征在于，第一至第五层结构的投影的外部轮廓重合且均为矩形，所述耦合缝隙（9）设置于第一金属地（4）的中心且延伸方向与所述第一金属地（4）的一对侧边平行，所述一对介质带条（1）中其中一个介质带条（1）的中心点和另一个介质带条（1）的中心点，位于所述第一金属地（4）的所述一对侧边的对称面上同时还关于所述第一金属地（4）的另一对侧边的对称面对称。

3.根据权利要求1所述的宽带低轴比圆极化天线，其特征在于，所述第一金属化通孔阵列（7）包括：沿所述矩形金属框（2）的投影呈矩形均匀排布的多个金属化通孔。

4.根据权利要求1所述的宽带低轴比圆极化天线，其特征在于，所述第二金属化通孔阵列（8）包括：沿平行于所述耦合缝隙（9）的方向排布的一排金属化通孔、自所述一排金属化通孔的两端沿垂直于所述耦合缝隙（9）的方向排布直至到达第一金属地（4）的侧边的两排金属化通孔。

5.根据权利要求4所述的宽带低轴比圆极化天线，其特征在于，所述两排金属化通孔还同时向对侧开设了两列金属化通孔以实现阻抗匹配。