[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中，

具备：半导体层；及

金属电极，包含：

第1金属区域，设置于上述半导体层上，接触上述半导体层，将第1金属元素作为主成分；

第2金属区域，设置于上述第1金属区域之上，将第2金属元素作为主成分；及

第3金属区域，具有比从上述半导体层至上述第2金属区域的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度，设置于上述第2金属区域之上，

上述第2金属元素的氧化物的标准生成自由能量比上述第1金属元素的大。

2.权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第3金属区域将与上述第2金属元素不同的第3金属元素作为主成分而包含。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，

上述第1金属元素与上述第3金属元素相同。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其中，

上述第1金属区域的金属密度比上述第3金属区域的金属密度高。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1金属元素是铝或钛，

上述第2金属元素是镁、锂或钙的某一个。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

上述第1金属元素是钛，

上述第2金属元素是铝。

7.一种半导体装置，其中，

具备：

半导体部，包含第1导电型的第1半导体层；

第1电极，与上述半导体部电连接；

第2电极，电连接于上述半导体部，上述半导体部位于上述第1电极和上述第2电极之间；及

控制电极，设置于上述半导体部和上述第1电极之间，经由绝缘膜而与上述半导体部及上述第1电极电绝缘，

上述半导体部包含：第2导电型的第2半导体层，设置于上述第1半导体层和上述第1电极之间；及第1导电型的第3半导体层，选择性地设置于上述第2半导体层和上述第1电极之间，与上述第1电极电连接，

上述第2电极接触上述半导体部，包含将第1金属元素作为主成分而包含的第1金属区域、第2金属区域及第3金属区域，上述第2金属区域设置于上述第1金属区域与上述第3金属区域之间，第2金属区域将第2金属元素作为主成分而包含，

上述第3金属区域具有比从上述第1电极至上述第2电极的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度，

上述第2金属元素的标准生成自由能量大于上述第1金属元素的氧化物。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中，

上述第3金属区域将不同于上述第2金属元素的第3金属元素作为主成分而包含。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，

上述第1金属元素与上述第3金属元素相同。

10.如权利要求7所述的半导体元件，其中，

上述第1金属元素是铝或钛，

上述第2金属元素是镁、锂或钙的某一个。

11.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述第1金属元素是钛，

上述第2金属元素是铝。

12.如权利要求7所述的半导体装置，其中，

上述半导体部设置于上述第1半导体层和上述第2电极之间，包含电连接上述第2电极的第2导电型的第4半导体层。

13.权利要求12所述的半导体装置，其中，

上述半导体部设置于上述第1半导体层和上述第4半导体层之间，还包含：包含比上述第1半导体层的第1导电型杂质更高浓度的第1导电型杂质的第1导电型的第5半导体层。