[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201811597724.3 | 申请日: | 2018-12-26 |
公开(公告)号: | CN110854187A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 谷口智洋 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
主分类号: | H01L29/45 | 分类号: | H01L29/45;H01L29/417;H01L29/739 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其中,
具备:半导体层;及
金属电极,包含:
第1金属区域,设置于上述半导体层上,接触上述半导体层,将第1金属元素作为主成分;
第2金属区域,设置于上述第1金属区域之上,将第2金属元素作为主成分;及
第3金属区域,具有比从上述半导体层至上述第2金属区域的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度,设置于上述第2金属区域之上,
上述第2金属元素的氧化物的标准生成自由能量比上述第1金属元素的大。
2.权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述第3金属区域将与上述第2金属元素不同的第3金属元素作为主成分而包含。
3.如权利要求2所述的半导体装置,其中,
上述第1金属元素与上述第3金属元素相同。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,
上述第1金属区域的金属密度比上述第3金属区域的金属密度高。
5.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述第1金属元素是铝或钛,
上述第2金属元素是镁、锂或钙的某一个。
6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,
上述第1金属元素是钛,
上述第2金属元素是铝。
7.一种半导体装置,其中,
具备:
半导体部,包含第1导电型的第1半导体层;
第1电极,与上述半导体部电连接;
第2电极,电连接于上述半导体部,上述半导体部位于上述第1电极和上述第2电极之间;及
控制电极,设置于上述半导体部和上述第1电极之间,经由绝缘膜而与上述半导体部及上述第1电极电绝缘,
上述半导体部包含:第2导电型的第2半导体层,设置于上述第1半导体层和上述第1电极之间;及第1导电型的第3半导体层,选择性地设置于上述第2半导体层和上述第1电极之间,与上述第1电极电连接,
上述第2电极接触上述半导体部,包含将第1金属元素作为主成分而包含的第1金属区域、第2金属区域及第3金属区域,上述第2金属区域设置于上述第1金属区域与上述第3金属区域之间,第2金属区域将第2金属元素作为主成分而包含,
上述第3金属区域具有比从上述第1电极至上述第2电极的第1方向上的上述第1金属区域及上述第2金属区域的总厚度大的上述第1方向的厚度,
上述第2金属元素的标准生成自由能量大于上述第1金属元素的氧化物。
8.如权利要求7所述的半导体元件,其中,
上述第3金属区域将不同于上述第2金属元素的第3金属元素作为主成分而包含。
9.如权利要求8所述的半导体元件,其中,
上述第1金属元素与上述第3金属元素相同。
10.如权利要求7所述的半导体元件,其中,
上述第1金属元素是铝或钛,
上述第2金属元素是镁、锂或钙的某一个。
11.如权利要求7所述的半导体装置,其中,
上述第1金属元素是钛,
上述第2金属元素是铝。
12.如权利要求7所述的半导体装置,其中,
上述半导体部设置于上述第1半导体层和上述第2电极之间,包含电连接上述第2电极的第2导电型的第4半导体层。
13.权利要求12所述的半导体装置,其中,
上述半导体部设置于上述第1半导体层和上述第4半导体层之间,还包含:包含比上述第1半导体层的第1导电型杂质更高浓度的第1导电型杂质的第1导电型的第5半导体层。
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