[发明专利]一种底部带焊盘的空腔结构制作方法

权利要求书

1.一种底部带焊盘的空腔结构制作方法，其特征在于，具体处理包括如下步骤：

101）焊盘准备步骤：转接板上表面通过刻蚀工艺在制作第一TSV孔，第一TSV孔的深度小于转接板的厚度；在转接板上表面采用沉积氧化硅、沉积氮化硅或直接热氧化方法中的一种，形成绝缘层；在绝缘层上物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺选其一制作种子层；电镀金属填充第一TSV孔底部形成一定厚度的金属块，200到500度温度下密化金属块；湿法清洗工艺去除第一TSV孔内种子层；

102）转接板下表面处理步骤：减薄转接板下表面，通过刻蚀工艺在转接板减薄表面制作第二TSV孔，第二TSV孔直径小于第一TSV孔直径，第二TSV孔的深度加上第一TSV孔的深度等于减薄后转接板厚度；

转接板下表面通过沉积氧化硅、沉积氮化硅或直接热氧化方法中的一种，形成绝缘层；绝缘层上通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺选其一制作种子层；电镀金属充满第二TSV孔，形成金属柱，200到500度温度下密化金属柱；CMP工艺去除转接板下表面金属，保留金属柱；

103）成形步骤：在步骤101）处理后的转接板上表面制作TSV孔的区域通过干法刻蚀和/或湿法腐蚀工艺制作空腔，露出金属块形成焊盘。

2.根据权利要求1所述的一种底部带焊盘的空腔结构制作方法，其特征在于：第一TSV孔、第二TSV孔的直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；种子层厚度范围在1nm到100um之间；焊盘厚度范围为10nm到1000um之间。

3.根据权利要求2所述的一种底部带焊盘的空腔结构制作方法，其特征在于：种子层本身结构为一层或多层，种子层的材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种底部带焊盘的空腔结构制作方法，其特征在于：空腔深度在100nm到700um之间，空腔截面形状为方形、圆形、椭圆形或三角形，空腔的侧壁为垂直或倾斜。

5.根据权利要求1所述的一种底部带焊盘的空腔结构制作方法，其特征在于：转接板采用4、6、8、12寸晶圆中的一种，厚度范围为200um到2000um，材料采用硅片、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂、聚氨酯中的一种。