[发明专利]一种自动扫描缺陷的方法有效
申请号: | 201811595214.2 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109712902B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 王洲男 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/95 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 扫描 缺陷 方法 | ||
本发明提供一种自动扫描缺陷的方法,应用于缺陷扫描工艺中,包括步骤S1,确定多个预设的缺陷扫描策略,并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列;步骤S2,根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量;步骤S3,根据缺陷数量和已扫描数量,依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量;步骤S4,判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值;步骤S2‑S4循环进行,直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。本发明的有益效果在于:通过进行实时预测来更换缺陷扫描策略来得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图,从而降低人力物力。
技术领域
本发明涉及通信技术领域,尤其涉及一种自动扫描缺陷的方法。
背景技术
随着集成电路生产工艺过程的复杂程度不断提高,与此同时器件尺寸不断缩小,晶圆表面图形的复杂程度也越来越高,因此晶圆缺陷扫描的难度也越来越高。例如在进行晶圆缺陷扫描的过程中,当晶圆表面缺陷数量过多或者缺陷扫描程式过于灵敏时,都会造成扫描缺陷数量过高,从而导致造成扫描结果文件过大,进而无法得到完整的晶圆缺陷分布图或者降低信息读取速度,由此可见,合理的晶圆缺陷扫描方法能提高生产的效率,缺陷判断的精确度及文件管理的方便性。
现有技术中,缺陷扫描机台的缺陷扫描程式(scan recipe)中只设置一个晶圆缺陷扫描覆盖区域(Coverage Strategy),即整个扫描过程只用一个晶圆缺陷扫描覆盖区域来进行,然而现有的缺陷扫描机台往往设置精度过于灵敏缺陷扫描程序,因此会导致扫描缺陷数量过高,从而无法得到完整晶圆缺陷分布图,进而需要人为进行调整,提高扫描成本。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,现提供一种旨在通过设置多个不同精度的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并进行实时预测来更换缺陷扫描策略,从而得到完整的缺陷晶圆缺陷分布图,进而降低人力物力的自动扫描缺陷的方法。
具体技术方案如下:
一种自动扫描缺陷的方法,应用于缺陷扫描工艺中,其中,包括以下步骤:
步骤S1,确定多个预设的缺陷扫描策略,并根据扫描精度由上至下对多个缺陷扫描策略进行排列;
步骤S2,根据扫描精度最大的缺陷扫描策略对晶圆进行扫描,并持续监控以得到晶圆上晶粒的已扫描数量以及缺陷数量;
步骤S3,根据缺陷数量和已扫描数量,依照一预设的计算策略计算得到于本次选择的缺陷扫描策略下的预测缺陷数量;
步骤S4,判断预测缺陷数量是否超出一预设的对应于本次选择的缺陷扫描策略的缺陷数量阈值;
若是,则选择下一个缺陷扫描策略继续扫描晶圆,同时返回步骤S2;
若否,则直接返回步骤S2,以继续采用当前的缺陷扫描策略继续扫描晶圆;
步骤S2-S4循环进行,直至对晶圆上所有晶粒均扫描完毕为止。
优选的,自动扫描缺陷的方法,其中,各个缺陷扫描策略中,分别提供多个扫描图形,并采用各个扫描图形扫描晶圆上对应的图形单元,被扫描的各个图形单元相邻;
各个扫描图形相互之间不重叠;
各个扫描图形叠加能够覆盖晶圆上的所有晶粒。
优选的,自动扫描缺陷的方法,其中,步骤S1具体包括以下步骤:
根据晶圆的制程选择对应的多个预设的缺陷扫描策略,并根据预设的缺陷扫描策略的精度进行排列;
当晶圆的制程为与图形相关的制程时,预设的缺陷扫描策略为隔行扫描策略;
当晶圆的制程为与无图形相关的制程时,预设的缺陷扫描策略为晶粒数扫描策略。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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