[发明专利]一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器在审
申请号: | 201811593499.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN109450389A | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 邬海峰;林倩;张晓明;陈思维;胡单辉 | 申请(专利权)人: | 青海民族大学 |
主分类号: | H03F1/42 | 分类号: | H03F1/42;H03F3/21;H04B1/40 |
代理公司: | 成都创新引擎知识产权代理有限公司 51249 | 代理人: | 向群 |
地址: | 810007 *** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 达林顿管 三阶 堆叠 二阶矩阵 超宽带放大器 功率放大器 平衡网络 输出合成 网络 矩阵 堆叠晶体管 高功率输出 核心架构 截止频率 馈电网络 频响特性 容量特性 输入分配 超宽带 高功率 高增益 宽带 放大 | ||
1.一种基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器,其特征在于,包括二阶矩阵输入分配网络、二阶矩阵级间平衡网络、二阶矩阵输出合成网络、第一堆叠型三阶达林顿管、第二堆叠型三阶达林顿管、第三堆叠型三阶达林顿管、第四堆叠型三阶达林顿管以及与二阶矩阵级间平衡网络和二阶矩阵输出合成网络相连的馈电网络;
所述二阶矩阵输入分配网络的输入端为整个所述超宽带放大器的输入端,其第一输出端与所述第一堆叠型三阶达林顿管的输入端连接,其第二输出端与所述第二堆叠型三阶达林顿管的输入端连接;
所述二阶矩阵级间平衡网络的第一端口与所述馈电网络的第一输出端连接,所述二阶矩阵级间平衡网络的第二端口与所述第一堆叠型三阶达林顿管的输出端、第三堆叠型三阶达林顿管的输入端同时连接,所述二阶矩阵级间平衡网络的第三端口与所述第二堆叠型三阶达林顿管的输出端、第四堆叠型三阶达林顿管的输入端同时连接;
所述二阶矩阵输出合成网络的输出端为整个所述超宽带放大器的输出端,其第一输入端与所述馈电网络的第二输出端连接,其第二输入端与所述第三堆叠型三阶达林顿管的输出端连接,其第三输入端与所述第四堆叠型三阶达林顿管的输出端连接;
所述馈电网络的输入端与供电电压Vdd连接;所述第一、第二、第三、第四堆叠型三阶达林顿管的馈电端与供电电压Vg连接。
2.根据权利要求1所述的基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器,其特征在于,所述二阶矩阵输入分配网络包括从所述超宽带放大器输入端到接地端依次串接的电感Lb1、Lb2、Lb3、隔直电容Cload1和负载电阻Rload1,所述电感Lb1与Lb2的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第一输出端,所述电感Lb2与Lb3的连接节点为所述二阶矩阵输入分配网络的第二输出端。
3.根据权利要求1所述的基于堆叠型三阶达林顿管的超宽带放大器,其特征在于,所述第N堆叠型三阶达林顿管)的输入端连接电容Cij,电容Cij的另一端连接场效应晶体管Mij的栅极,Mij的栅极还连接了馈电电阻Rfj,Rfj的另一端连接第N堆叠型三阶达林顿管的馈电端,所述场效应晶体管Mij的源极连接电阻Rsj,电阻Rsj的另一端接地。场效应晶体管Mij的源极和Mmj的栅极通过电容Cmj相连,Mmj的栅极还连接了馈电电阻Rbj,Rbj的另一端连接第N堆叠型三阶达林顿管的馈电端,所述场效应晶体管Mmj的源极连接电阻Rtj,电阻Rtj的另一端接地。所述场效应晶体管Mmj的源极和场效应晶体管Muj的栅极通过电容Cuj相连,Muj的栅极还连接了馈电电阻Ruj,Ruj的另一端连接第N堆叠型三阶达林顿管的馈电端,所述场效应晶体管Muj的源极接地。场效应晶体管Muj的漏极与场效应晶体管Mvj的源极相连,所述场效应晶体管Mvj的栅极连接电容Ctj和电阻Rpj,电容Ctj的另一端接地,电阻Rpj的另一端连接电阻Roj和Rqj,电阻Roj的另一端接地,电阻Rqj的另一端与场效应晶体管Mij的漏极、场效应晶体管Mmj的漏极、场效应晶体管Mvj的漏极连接,此节点为所述第N堆叠型三阶达林顿管的输出端,其中,N为一、二、三、四,j=1,2,3,4。
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