[发明专利]一种阈值电压分布预测方法及装置

权利要求书

1.一种阈值电压分布预测方法，其特征在于，所述方法包括：

对固态硬盘进行递增阶跃脉冲编程，统计擦除单元数、每个编程态对应的初始单元数及初始阈值电压分布信息；

为每个所述编程态分配感知电压；

保持一定时长，根据所述擦除单元数、所述每个编程态对应的所述初始单元数及所述感知电压，分别获取所述每个编程态对应的感知单元数；

根据保持噪声模型、所述每个编程态对应的所述感知单元数及所述初始阈值电压分布信息，分别确定所述每个编程态对应的保持阈值电压分布信息；其中，所述根据保持噪声模型、所述每个编程态对应的所述感知单元数及所述初始阈值电压分布信息，分别确定所述每个编程态对应的保持阈值电压分布信息，包括：

根据保持噪声模型及第一编程态的所述感知单元数及所述初始阈值电压分布信息，获取所述第一编程态对应的分布扩展程度及平均损失电子数目，所述第一编程态为所述每个编程态中的任一编程态；

根据所述第一编程态对应的所述分布扩展程度、所述平均损失电子数目及所述初始阈值电压分布信息，确定所述第一编程态对应的保持阈值电压分布信息；其中，所述根据所述第一编程态对应的所述分布扩展程度、所述平均损失电子数目及所述初始阈值电压分布信息，确定所述第一编程态对应的保持阈值电压分布信息，包括：

通过随机数将所述第一编程态对应的所述分布扩展程度及所述平均损失电子数目添加在所述第一编程态对应的所述初始阈值电压分布信息上，对每个存储单元随机分布一定电子数目，通过公式(1)分别计算所述每个存储单元的阈值电压退化量；

根据所述每个存储单元的初始阈值电压与所述阈值电压退化量，计算所述每个存储单元退化后的阈值电压；

统计每个退化后的所述阈值电压对应的存储单元个数，得到所述第一编程态对应的保持阈值电压分布信息；

ΔV_th＝-q·n/C_PP…(1)

在公式(1)中，ΔV_th为阈值电压退化量，q为电子电荷量，n为电子数目，C_PP为控制栅到氮化层的耦合电容；

其中，所述保持噪声模型至少包含EEES、ENF以及DPF，最终分布扩展程度为三者叠加，即：

在公式(3)中，为分布扩展程度，为电子本征波动量，为电荷数目波动量，为器件参数波动量；其中，将及代入上述公式(3)即可得到如下公式(4)所示的保持噪声模型：

在公式(4)中，为平均损失电子数，为电子数目的均值，为初始的电子数目的方差，w为器件参数波动校准参数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据保持噪声模型及第一编程态的所述感知单元数及所述初始阈值电压分布信息，获取所述第一编程态对应的分布扩展程度及平均损失电子数目，包括：

根据保持噪声模型及所述第一编程态的所述初始阈值电压分布信息，生成电子损失数据表，所述电子损失数据表包括平均损失电子数与感知单元数的对应关系；

根据第一编程态对应的感知单元数，从所述电子损失数据表中获取对应的平均损失电子数；

根据获取的所述平均损失电子数及所述保持噪声模型，计算所述第一编程态对应的分布扩展程度。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述擦除单元数、所述每个编程态对应的所述初始单元数及所述感知电压，分别获取所述每个编程态对应的感知单元数，包括：

通过第一编程态对应的所述感知电压进行电压感知，统计感知单元总数，所述第一编程态为所述每个编程态中的任一编程态；

根据所述感知单元总数、所述擦除单元数及所述每个编程态对应的初始单元数，计算所述第一编程态对应的感知单元数。