[发明专利]一种同层光电集成器件

权利要求书

1.一种同层光电集成器件，其特征在于，包括：

p型掺杂Si衬底(001)；

p型掺杂Ge层(002)，设置于所述p型掺杂Si衬底(001)上；

光源GeSn层(0031)、光源n型掺杂Ge层(0041)、光源n型掺杂Si层(0051)、光源SiO₂层(0061)，所述光源GeSn层(0031)、所述光源n型掺杂Ge层(0041)、所述光源n型掺杂Si层(0051)、所述光源SiO₂层(0061)依次层叠设置于所述p型掺杂Ge层(002)上；

波导GeSn层(0032)，设置于所述p型掺杂Ge层(002)上；

探测器GeSn层(0033)、探测器n型掺杂Ge层(0042)、探测器n型掺杂Si层(0052)、探测器SiO₂层(0062)，所述探测器GeSn层(0033)、所述探测器n型掺杂Ge层(0042)、所述探测器n型掺杂Si层(0052)、所述探测器SiO₂层(0062)依次层叠设置于所述p型掺杂Ge层(002)上；

第一氧化层(0071)和第二氧化层(0072)，均设置于所述p型掺杂Ge层(002)上，其中，所述第一氧化层(0071)设置于所述光源GeSn层(0031)与所述波导GeSn层(0032)之间，所述第二氧化层(0072)设置于所述波导GeSn层(0032)与所述探测器GeSn层(0033)之间；

α-Si层(008)，设置于所述波导GeSn层(0032)上；

压应力膜(009)，设置于所述第一氧化层(0071)上及两侧、所述第二氧化层(0072)上及两侧、所述α-Si层(008)上及两侧、所述波导GeSn层(0032)两侧；

张应力膜(010)，设置于所述p型掺杂Ge层(002)上、所述探测器GeSn层(0033)两侧、所述探测器n型掺杂Ge层(0042)两侧、所述探测器n型掺杂Si层(0052)两侧、所述探测器SiO₂层(0062)上及两侧；

光源电极(011)，设置于所述光源SiO₂层(0061)上及所述p型掺杂Ge层(002)上；

探测器电极(012)，设置于所述张应力膜(010)上。

2.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述p型掺杂Si衬底(001)的厚度为30nm-750nm。

3.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述p型掺杂Ge层(002)的厚度为50nm。

4.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述光源GeSn层(0031)和所述探测器GeSn层(0033)的厚度均为250nm，所述波导GeSn层(0032)的厚度为160nm-200nm。

5.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述光源n型掺杂Ge层(0041)和所述探测器n型掺杂Ge层(0042)的厚度均为100nm。

6.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述光源n型掺杂Si层(0051)与所述探测器n型掺杂Si层(0052)的厚度均为300nm。

7.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述光源SiO₂层(0061)与所述探测器SiO₂层(0062)的厚度均为10nm。

8.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述第一氧化层(0071)和所述第二氧化层(0072)均由SiO₂材料形成，宽度均为20nm-50nm。

9.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述α-Si层(008)的厚度为50nm-90nm。

10.根据利要求1所述的同层光电集成器件，其特征在于，所述压应力膜(009)和所述张应力膜(010)的厚度均为10nm-20nm。