[发明专利]一种建立辅助图形曝光模型的方法

说明书

本发明公开了一种建立辅助图形曝光模型的方法，包括以下步骤：步骤S01：设计测试图形，所述测试图形包含标准图形和辅助图形；步骤S02：收集在线线宽量测数据及辅助图形曝光数据；步骤S03：建立测试图形版图与线宽量测数据及辅助图形曝光数据之间的对应文件；步骤S04：基于机器学习进行辅助图形曝光模型拟合运算，建立辅助图形曝光模型；步骤S05：输出辅助图形曝光模型，进行OPC图形修正与验证。本发明可以获得准确性更高的辅助图形曝光模型。

技术领域

本发明涉及光学邻近效应修正技术领域，更具体地，涉及一种基于机器学习建立辅助图形曝光模型的方法。

背景技术

随着集成电路的持续发展，制造技术不断地朝更小的尺寸发展，光刻制程已经成为限制集成电路向更小特征尺寸发展的主要瓶颈。在深亚微米的半导体制造中，关键图形的尺寸已经远远小于光源的波长，由于光的衍射效应，导致光罩投影至硅片上面的图形有很大的变化，如线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等各种光学临近效应。为了补偿这些效应产生的影响，我们会直接修改设计出来的图形，然后再进行光刻版的制版工作，例如将线尾修改成hammer head之类的图形等。这个修正的迭代过程就叫光学邻近效应修正(optical proximity correction，OPC)。一般来说，0.18微米以下的光刻制程需要辅以OPC才可得到较好的光刻质量。

在65nm及以下先进工艺中，亚分辨率辅助图形(Assist Feature，AF)技术被广泛应用于光学邻近效应修正OPC中。辅助图形技术利用光学原理在主图形(Main Feature，MF)附近加入无法成像的辅助图形，增强主图形对比度，从而进一步扩大光刻工艺窗口。

辅助图形的设计尺寸通常是主图形的一半甚至更小。辅助图形的添加，在提升光刻工艺窗口的同时，也会引入一些问题。比如，辅助图形在硅片上实现成像(AF print)；小尺寸的光刻胶保形性较差容易引起光刻胶剥离从而在硅片上引入缺陷等。这些都会在主图形上形成设计不需要的图形，影响器件性能或良率。

在OPC图形修正过程中，会监控辅助图形的信号强度，并报出辅助图形成像的情况。因此，辅助图形曝光模型的准确性，对辅助图形的添加规则制定与OPC图形修正具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种基于机器学习建立辅助图形曝光模型的方法。

为实现上述目的，本发明的技术方案如下：

一种建立辅助图形曝光模型的方法，包括以下步骤：

步骤S01：设计测试图形，所述测试图形包含标准图形和辅助图形；

步骤S02：收集在线线宽量测数据及辅助图形曝光数据；

步骤S03：建立测试图形版图与线宽量测数据及辅助图形曝光数据之间的对应文件；

步骤S04：基于机器学习进行辅助图形曝光模型拟合运算，建立辅助图形曝光模型；

步骤S05：输出辅助图形曝光模型，进行OPC图形修正与验证。

进一步地，所述标准图形包含一维图形和二维图形，并将多组辅助图形添加在标准图形周边。

进一步地，所述步骤S02具体包括：在测试图形设计结束后，制作测试图形版图，进行光刻工艺，并在硅片上收集各种版图图形在硅片上的线宽数据；其中，线宽数据包括没有添加辅助图形的部分和添加辅助图形的部分；根据工艺确定的辅助图形规则，分别选定辅助图形未在硅片上曝光形成图形的成像信息和在硅片上曝光形成图形的成像信息，并保存辅助图形成像的图片与量测数据。

进一步地，步骤S03中，通过所述对应文件，在辅助图形曝光模型拟合中进行辅助图形信号的监控。