[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201811591197.5 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671668B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李洪昌;石虎;史凯磊;孙尧中;李海江 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/14;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供衬底；
依次执行偶数次沉积工艺以形成偶数层铝硅合金薄膜，每次沉积工艺之后、下次沉积工艺之前均执行冷却工艺。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，第一次所述沉积工艺的工艺温度不高于200℃；第二次及第二次之后的所有所述沉积工艺的工艺温度不低于350℃。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在相邻的奇数次沉积工艺和偶数次沉积工艺中，奇数次沉积工艺的工艺温度不高于200℃，偶数次沉积工艺的工艺温度不低于350℃。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沉积工艺包括物理气相沉积工艺。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述铝硅合金薄膜包括铝硅铜合金薄膜。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沉积工艺的次数为两次。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，第一次所述沉积工艺所形成的所述铝硅合金薄膜的厚度占两次沉积工艺所形成的所述铝硅合金薄膜总厚度的15％-30％。
8.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一次所述沉积工艺的功率小于第二次及第二次之后的所有所述沉积工艺的功率。
9.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在相邻的奇数次沉积工艺和偶数次沉积工艺中，奇数次的沉积工艺的功率小于偶数次沉积工艺的功率。
10.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，第二次及第二次之后的所有所述沉积工艺的功率为所述第一次所述沉积工艺的功率的1.5倍-2倍。
11.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在相邻的奇数次沉积工艺和偶数次沉积工艺中，偶数次沉积工艺的功率为奇数次沉积工艺的功率的1.5倍-2倍。
12.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，第一次所述冷却工艺的冷却速度小于第二次及第二次之后的所有所述冷却工艺的冷却速度。
13.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在相邻的奇数次冷却工艺和偶数次冷却工艺中，奇数次冷却工艺的冷却速度小于偶数次冷却工艺的冷却速度。
14.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，第一次所述冷却工艺包括在室温下静置冷却，第二次及第二次之后的所有所述冷却工艺包括在氮气吹扫下进行冷却。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在相邻的奇数次冷却工艺和偶数次冷却工艺中，奇数次的冷却工艺包括在室温下静置冷却，偶数次的所述冷却工艺包括在氮气吹扫下进行冷却。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
