[发明专利]正入射式共面电极光电芯片及其制备方法

说明书

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法；一种正入射式共面电极光电芯片，芯片上开设主光槽，主光槽向芯片的任一表面方向开口并贯穿芯片的吸收层；芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，第一电极位于收光区的外侧，第一电极和第二电极相互绝缘设置；以芯片的正面为入光侧，主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从收光区进入到吸收层内进行光电转换；故本发明提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控；进而使用本发明提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。

技术领域

本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法。

背景技术

激光器发射的光信号经光纤传输进入无源光波导(PLC)之前，通常需要光分路器分出部分(例如5％)光信号到另外的光接收芯片上，进行光功率监控。剩余(例如95％)的光信号通过光纤耦合到光波导，进行传输。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种正入射式共面电极光电芯片及其制备方法，该芯片既能够实现分光，又能够实现光功率的监控。

为了实现上述技术问题，本发明提供了一种正入射式共面电极光电芯片，所述芯片上开设主光槽，所述主光槽向所述芯片的任一表面方向开口并贯穿所述芯片的吸收层；

所述芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极，所述第一电极位于所述收光区的外侧，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘设置；

以所述芯片的正面为入光侧，所述主光槽用于入射光的一部分射出，入射光的另一部分从所述收光区进入到所述吸收层内进行光电转换。

本发明提供的正入射式共面电极光电芯片设置了主光槽，主光槽贯穿吸收层。芯片的正面上还设有收光区、第一电极和第二电极。入射光从芯片正面的一侧射入芯片，一部分光从主光槽射出，因为这部分光可通过主光槽未经过吸收层而无损穿过芯片，继续进行光信号传输；而另一部分光就会从收光区进入到吸收层内进行光电转换，产生光生载流子，从而对入射光的光功率进行有效监控。故本发明提供的正入射式共面电极光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控。进而使用本发明提供的芯片的光路系统，无须使用光分路器进行分光，减少了系统体积，也降低了成本。而且本发明提供的正入射式共面电极光电芯片的第一电极和第二电极均设于芯片的同一表面，可将第一电极和第二电极分别通过焊线的方式电连接至同一电路板，再通过电路板电连接至电源的两极，安装简单、方便。

进一步地，还包括顶层，所述顶层位于所述吸收层正面的一侧；所述顶层内设有光敏区；所述光敏区的内端与所述吸收层相连接，所述光敏区的外端与所述第一电极相连接；所述收光区与所述光敏区有重叠区域；所述主光槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层。

进一步地，还包括衬底，所述衬底位于所述吸收层的背面一侧；所述衬底和所述吸收层之间还设有缓冲层，所述第二电极与所述缓冲层相连接；所述主光槽的内端位于所述缓冲层。

进一步地，所述芯片上还开设电极安装槽，所述电极安装槽向所述芯片正面的方向开口并贯穿所述顶层和所述吸收层，所述第二电极设于所述电极安装槽内。

进一步地，所述收光区内设有入光增透膜，所述主光槽的内端设有透光增透膜。

进一步地，所述芯片的背面设有出光增透膜，所述出光增透膜的面积大于所述主光槽沿平行于所述芯片表面方向的横截面积。

进一步地，所述芯片的背面还设有反光层，所述反光层上开设有用于设置所述出光增透膜的出光增透膜孔，所述反光层有反光材料制成。

进一步地，所述主光槽贯穿所述芯片的部分或全部。